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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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深度圖片解析場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法
下面是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫為FET。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場...
2017-12-21 標(biāo)簽:mosfet場(chǎng)效應(yīng)管jfet 1.3萬(wàn) 0
深度解析MOSFET結(jié)構(gòu)原理和特點(diǎn)以及其驅(qū)動(dòng)電路
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transisto...
2017-12-19 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路 3.7萬(wàn) 0
IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET...
基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制,為此提出一種由MOSFET控制,并且由高頻變壓器隔離的開關(guān)電源設(shè)計(jì)方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強(qiáng).....
用UC3842芯片做醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)通過光耦實...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...
資深工程師分享的一款醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)通過光耦實...
ZVS的實(shí)現(xiàn)方案解析和MOSFET的損耗分析
MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分:1導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是比較容易理解的,即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。...
巧用Rigol_dl3021可編程電子負(fù)載設(shè)備拆解fpga控制器
想必大家對(duì)EEVBlog已經(jīng)不陌生了,有著豐富電子開發(fā)經(jīng)驗(yàn)的工程師Dave Jones在該網(wǎng)站上發(fā)布各種電子設(shè)備的拆解...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2017-11-02 標(biāo)簽:mosfet 5.0萬(wàn) 0
mos管工作原理:它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通...
深入理解MOSFET規(guī)格書及應(yīng)用設(shè)計(jì)
MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時(shí)候,為20度時(shí)候的2倍。
2017-10-16 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路功率mosfet 1.2萬(wàn) 0
MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無(wú)源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲小@...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9168 0
900VMDmesh? K5超結(jié)MOSFET管滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求
新品登場(chǎng)
2017-09-20 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體Mesh 5932 0
MOSFET知識(shí)點(diǎn)全集,初級(jí)工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMO...
2017-09-13 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.0萬(wàn) 0
Mosfet驅(qū)動(dòng)電路開發(fā)進(jìn)階之路
常見的MOS管驅(qū)動(dòng)方式有非隔離的直接驅(qū)動(dòng)、自舉驅(qū)動(dòng),和有隔離的變壓器驅(qū)動(dòng)、光耦隔離驅(qū)動(dòng)等。
2017-08-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1.4萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)
根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。
2017-08-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 0
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