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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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功率MOS管的驅動電路中會分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路：對開關驅動信號中的高頻諧波分量產生諧振，進而引...
用FAN73711浮驅芯片，在起機時沒有發現異常的高電平現象，基本能夠正常工作，但是在更加惡劣的工作狀態下會發生炸機，比如在源跳變時會發生PFC炸機。
當VGS小于一定的電壓值，DS極就會導通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅動）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于其導通電阻大、價格貴、替換...
在MOSFET的柵極前增加一個電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。
光電三極管是一種半導體器件，能夠感應光水平并根據其接收的光水平來改變在發射極和集電極之間流動的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應光并改變晶...
三極管的結構是給一塊純硅進行三層摻雜，其中較窄區域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區域普通濃度P型摻雜，含有少數空穴，上邊較寬區域普通濃度N型...
那這兩張圖是完全等價的，我們可以看到MOS管是有三個端口，也就是有三個引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他...
使用二級管,導通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，在正向導通時，在控制極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導通，這樣通過電流時幾乎不產生壓降。
電機，按照電流的屬性，可分為交流電機與直流電機兩大類。以直流電機為例，闡述說明如何在電路方案中控制電機。
如何給電路選擇最合適的MOS產品？選擇MOS管時需考慮的關鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關、放大、調壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。
推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一...
DCPWMB輸入高電平，推挽輸出DCDRVB高電平驅動Q121導通，DCPWMA為低電平，推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...
完整的電化學儲能系統主要由電池組、電池管理系統（BMS）、能量管理系統（EMS）、儲能變流器（PCS）以及其他電氣設備構成。BMS（Battery Ma...
當單板啟動時，SLP_S3會輸出3V3電平，此時Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區時hFE=100計算，ic=100...
穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，產生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發生DIBL效應，使源襯底結正偏出...
說起自舉電路估計離不開mos管，先來了解一下MOS管，MOS有N溝道和P溝道之分。對于N溝道的MOS管，導通時需要Ugs>Ugs(th),P溝道則...
電壓/電流轉換即V/I轉換，是將輸入的電壓信號轉換成滿足一定關系的電流信號，轉換后的電流相當一個輸出可調的恒流源，其輸出電流應能夠保持穩定而不會隨負載的...
騷擾通過MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話，在騷擾電壓一定的情況下，阻抗很低，騷擾電流很大，導致CE測試失效。
MOS管因為其導通內阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。
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