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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)為FET.可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我...
2019-06-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4.5萬(wàn) 0
在OUT端為高電平期間,A點(diǎn)電位會(huì)由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會(huì)使得B點(diǎn)電位下降,N4的導(dǎo)通性下降。同時(shí)由于同樣的原因,OUT端電位...
2019-06-19 標(biāo)簽:電路MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī) 3.2萬(wàn) 0
上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓,設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小?,F(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用...
2019-06-19 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬(wàn) 0
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。需要注意的是,Vgs指的是柵極G與源極S的電壓,即柵極低于電源一定...
2019-06-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管電壓 1.8萬(wàn) 0
九種簡(jiǎn)易mos管開(kāi)關(guān)電路圖
在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá)),這個(gè)二極管很重要??梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的...
2019-06-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管電壓 15.0萬(wàn) 2
MOS管是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電子電路中,特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類(lèi)型--結(jié)型M...
有了以上模型,就好辦了,尤其從運(yùn)放這張圖中,可以一眼看出,這就是一個(gè)反相積分電路,當(dāng)輸入電阻較大時(shí),開(kāi)關(guān)速度比較緩慢,Cgd這顆積分電容影響不明顯,但是...
不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損...
MOS管閾值電壓與溝長(zhǎng)和溝寬的關(guān)系
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響,實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶...
MOSFET開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間定義
電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才...
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 5.3萬(wàn) 0
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱(chēng)漏...
2019-06-18 標(biāo)簽:MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬(wàn) 0
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取決于其導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),計(jì)算RDS(ON)看似是一個(gè)很好的著手之處。但MOSFET的導(dǎo)通電阻取決于結(jié)溫T...
除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SO...
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增...
2019-06-18 標(biāo)簽:電流MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0
搞懂MOS管:MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類(lèi)似三極管,也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)!三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過(guò)電子-空穴復(fù)合來(lái)控制CE之間的...
DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。D...
模擬電路和數(shù)字電路設(shè)計(jì)/制作方面的差別
下一步, 就是要把這些東西變成實(shí)實(shí)在在的電路:小Boss.綜合電路:推薦武器: Design Compiler (DC)數(shù)字電路需要用到Design C...
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