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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來提高工作電壓,但由此也帶來通態(tài)電阻的增大,當電流比較大時,管壓降和損耗會明顯加大,因此MOSFET特別適合...
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗...
? 本文主要的目的不在于講一個音頻耦合電容的問題,重點在于分析方法。 如果你碰到一個新的電路,不知道如何下手的時候,不妨按照這個方法試一試。頭腦中簡單建...
Path1容易出現hold問題,path2容易出現setup問題;如果在path1和path2的commen part修timing就會導致另外一個pa...
借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數值顯示,反過來接無數值,說明是N溝道,若情況相反是P溝道。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的...
MOS管,是MOSFET的簡寫(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),M...
當時電源的輸出電流大概在3.5A左右,加上這個劣質電源是屬于適配器,外殼沒通風的開口,本身散熱片面積小,內部發(fā)熱無法散 出去因此整個電源溫升很高
CL6291是一款微小型、高效率、升壓型DC/DC調整器。電路由電流模PWM控制環(huán)路,誤差放大器,斜波補償電路,比較器和功率開關等模塊組成。
MOS是電壓驅動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導通,外部干擾信號對G-S結電容充電,這個微小的電荷可以儲存很長時間。 在試驗中G...
打開規(guī)格書,首先看到的就是MOS管的引腳示意圖、封裝形式和三個重要參數。一般看到這個,心里對這個管子有初步的了解,知道適合在哪個功率等級使用。
上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生產及品質測試中被察覺而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測試中不易被發(fā)現,在這種情形下,常會因經過多次...
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū)。當MOS用來做放大電路時,就是工...
對MOS管在開關狀態(tài)下的Miller效應的原因與現象進行分析
MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中,延長開關頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
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