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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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很多人不清楚,不少CBB電容之所以容易損壞,很大概率是溫度過高導致的,雖然CBB薄膜電容穩定性遠好于電解電容,但它也照樣害怕高溫,CBB薄膜電容耐高溫嗎?
和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等優勢,在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高...
大家都知道三極管是電流控制型元件,三極管工作在放大狀態下存在Ic=βIb的關系,怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內部空穴和電子的運動,還是...
三極管屬于電流型驅動元器件,因此一般在基極都會串一個限流電阻,一般小于等于10K,但是在基極為什么會下拉一個電阻呢?舉例說明。如下圖,是溫度開關控制馬達電路圖。
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細微之處,希望同學們能精準識別三種特性曲線的區別,而不是死記硬背。研究MOS管,一定繞不開一個重要現象——Mille...
MOS管學名是場效應管,是金屬-氧化物-半導體型場效應管,屬于絕緣柵型。本文就結構構造、特點、實用電路、靜電防護等幾個方面用工程師的話簡單描述。
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常使用,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
Mos主要損耗也對應這幾個狀態,開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在...
這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構造,如下圖所示,柵極和源極之間就是一個耗盡層(PN結)。
三極管屬于電流型驅動元器件,因此一般在基極都會串一個限流電阻,一般小于等于10K,但是在基極為什么會下拉一個電阻呢?舉例說明。如下圖,是溫度開關控制馬達電路圖。
Mos開關原理(簡要):Mos是電壓驅動型器件,只要柵極和源級間給一個適當電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻,就是導通電阻...
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