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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管開關(guān)電路圖 MOS管開關(guān)電路設(shè)計
在設(shè)計MOS管開關(guān)電路時,就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱們來詳細(xì)說明。
2023-07-20 標(biāo)簽:開關(guān)電路半導(dǎo)體MOS管 2406 0
pwm風(fēng)扇轉(zhuǎn)速怎么調(diào)節(jié) 風(fēng)扇電機調(diào)速電路的PWM波形
這個小風(fēng)扇有個電機調(diào)速電路,通過PWM進(jìn)行調(diào)速
2023-07-20 標(biāo)簽:示波器MOS管脈沖寬度調(diào)制 1.4萬 0
1、電接口設(shè)計中,反射衰減通常在高頻情況下變差,這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關(guān),這種情況下,盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。
2023-07-19 標(biāo)簽:示波器穩(wěn)壓二極管MOS管 772 0
電路設(shè)計時,三極管和MOS管作為開關(guān)管區(qū)別在哪?
三極管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N溝道和P溝道的,三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E,而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D...
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管DCM 1.4萬 0
MOS管典型應(yīng)用電路圖 MOS管常見的幾種應(yīng)用電路
MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。
2023-07-17 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路放大電路 1.1萬 0
超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開關(guān)時間:功率MOS具有極快的開關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時間
鋰電池保護(hù)板的構(gòu)成 鋰電池保護(hù)板如何選擇MOS管
鋰電池保護(hù)電路,鋰電池鋰電池保護(hù)板(可充型)之所以需要保護(hù),是由它本身特性決定的。由于鋰電池保護(hù)板本身的材料決定了它不能被過充、過放、過流、短路及超高溫...
2023-07-13 標(biāo)簽:MOS管鋰電池保護(hù)鋰電池保護(hù)板 7166 0
寄生電容和開關(guān)時間:功率MOS具有極快的開關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時間,其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。
求一種電流前饋雙閉環(huán)PI控制器逆變仿真設(shè)計方案
逆變器的控制方法有:PID控制、滯環(huán)控制、無差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點。
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