N溝道增強型MOS管的工作區(qū)間及開通過程分析

　　N溝道增強型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，P型襯底上制作兩個高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引...

2023-10-01 標(biāo)簽：二極管MOS管N溝道 3699 0

防反接保護電路圖 防反接保護電路設(shè)計

通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護。

2023-09-21 標(biāo)簽：二極管電路圖保護電路 1.5萬 0

為什么MOS管溝道夾斷了還能將恒定載流子發(fā)送過去？

對于MOS管這樣一個三端口器件，先不看源極，就看柵極和漏極。

2023-09-21 標(biāo)簽：二極管電阻器MOS管 1866 0

為什么源極跟隨器可以產(chǎn)生有源電感的效果呢？

所以從這個角度來說，哪個有源MOS管子可以實現(xiàn)這樣的阻抗變化，就可以稱為有源電感。

2023-09-21 標(biāo)簽：驅(qū)動器MOS管跟隨器 2870 0

為什么半邊等效電路的電阻和電容會變化呢？

我們在分析全差分電路時，因為兩側(cè)完全對稱，所以我們可以按照半邊等效電路來進行分析。

2023-09-21 標(biāo)簽：MOS管等效電路電阻電容 2136 0

pcb設(shè)計如何減少接地反彈問題？

輸出和接地之間的電位差異電流從輸出通過下部MOS向下移動到接地。電感利用存儲磁場中的能量在 ΔVO和 ΔVB之間建立電勢差，試圖抵抗磁場的變化。

2023-09-21 標(biāo)簽：pcbMOS管晶體管 457 0

南芯方案2023 USB-C大功率充電寶技術(shù)研討

目前充電寶新國標(biāo)開始實施發(fā)證、全球旅游市場復(fù)蘇、iPhone切換USB-C口等熱點頻頻，再加上電芯能量密度、放電倍率也獲得突破，充電寶芯片集成度再創(chuàng)新高

2023-09-20 標(biāo)簽：鋰離子電池USB接口MOS管 4016 0

為什么消耗相同電流的情況下有電感的電路帶寬高？

從之前域域轉(zhuǎn)化系列中，我們可以知道頻域的帶寬高，到時域上體現(xiàn)就是信號變化快。

2023-09-20 標(biāo)簽：放大器電感器MOS管 1207 0

高邊驅(qū)動和低邊驅(qū)動原理解析

在進行電流采樣，開關(guān)電路的設(shè)計時候不免會遇到高低端的問題，一直也沒有很清楚的搞明白（其實之前做東西的時候高低端是有感覺的，但是沒有完全搞明白），看了網(wǎng)上...

2023-09-20 標(biāo)簽：電源開關(guān)電路MOS管 1.3萬 0

Pspice電路仿真入門：基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路

　　你有用過Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個非常好用的仿真軟件，他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點，瞬態(tài)分析，和一些穩(wěn)定性分析。那么我...

2023-10-01 標(biāo)簽：MOS管Cadence仿真 3424 1

恒流源電路原理詳解及其使用注意事項

　　今天，在LT1492的手冊里，看到一個運算放大器和MOS管組成的恒流源電路，與各位同好一起分析一下原理以及使用注意事項。

2023-09-19 標(biāo)簽：電路圖運算放大器MOS管 4423 0

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管氮化鎵 7903 0

BUCK電流的工作過程中電感的作用是什么？

只要是電子產(chǎn)品就需要供電，就離不開電源，那什么是電源：小到手表中的電子，遙控器的電源，大到220V家庭用電，都可以看做是電源。然而在我們的電路設(shè)計中，會...

2023-09-19 標(biāo)簽：電路設(shè)計MOS管電感 1877 0

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路圖 Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的工作原理

DC-DC轉(zhuǎn)換器分為三類：Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器、BUCK降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器以及 Boost-BUCK升降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器三種，如果電...

2023-09-19 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管DC-DC 3449 0

MOS場效應(yīng)晶體管的特性與原理

MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，...

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS管 1801 0

全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點

IGBT 有三個端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

2023-09-19 標(biāo)簽：電子元器件MOS管IGBT 5786 0

關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些？

大電流的快速切換會導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個或多個電源軌，則可能會對控制電路產(chǎn)生干擾。

2023-09-19 標(biāo)簽：二極管MOS管導(dǎo)通電阻 981 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級放大器（3）

不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卣f，共柵級與共源級是一樣的。回看單級放大器1中的電阻負(fù)載的共源級，與圖3.1.1相比，兩者最大的不同是共源級從柵極輸入信號，而共柵級從源極輸入信號。

2023-09-18 標(biāo)簽：放大器電阻器MOS管 2108 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標(biāo)簽：功率放大器運算放大器MOS管 5974 0

模擬集成電路—MOS等效輸入阻抗基礎(chǔ)知識介紹

在模擬集成電路設(shè)計中，正確地分析等效輸入阻抗可以大大降低電路的復(fù)雜程度。

2023-09-18 標(biāo)簽：MOS管模擬集成電路線性電阻 3094 0