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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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2018年IGBT的市場(chǎng)預(yù)測(cè)與技術(shù)路線
在未來(lái)幾年,IGBT市場(chǎng)具有很好的投資價(jià)值。我們預(yù)計(jì)到2022年,全球IGBT市場(chǎng)總量將超過(guò)50億美金.
2018-01-20 標(biāo)簽:igbt 7605 0
功率管怎么看型號(hào)大小?功率管上的數(shù)字代表什么意思?
功率管怎么看型號(hào)大小?功率管上的數(shù)字代表什么意思? 功率管是電子元件領(lǐng)域中非常常見(jiàn)的組件,其主要功能是轉(zhuǎn)換電流和電壓。不同型號(hào)的功率管適用于不同的電子設(shè)...
回顧2020年,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在嚴(yán)峻的國(guó)際形勢(shì)下,通過(guò)國(guó)家政策引導(dǎo)、行業(yè)公司技術(shù)升級(jí)加快國(guó)產(chǎn)替代、社會(huì)資本支持等多方面努力取得了階段性成果。
正溫系數(shù)(PTC)加熱器的應(yīng)用及其它汽車應(yīng)用產(chǎn)品詳解介紹
傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車通過(guò)發(fā)動(dòng)機(jī)加熱的冷卻液實(shí)現(xiàn)加熱系統(tǒng)。在冷卻液溫度上升相對(duì)較慢的柴油車中,采用PTC加熱器或電加熱器作為輔助加熱裝置,直到冷卻液的溫度充分上升。
新手誤區(qū):“小管子發(fā)熱小,大管子發(fā)熱大。”IGBT的真相原來(lái)是這樣
Q: 實(shí)際應(yīng)用中,IGBT的開(kāi)關(guān)頻率上限應(yīng)如何確定? A: 開(kāi)關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開(kāi)關(guān)都...
2020-09-17 標(biāo)簽:IGBT開(kāi)關(guān)頻率 7308 0
構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)芯片技術(shù) 英飛凌在物聯(lián)網(wǎng)賽道如何放大招?
英飛凌科技安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)市場(chǎng)與業(yè)務(wù)合作總監(jiān)南錚接受電子發(fā)燒友記者的采訪,集中解讀了三大問(wèn)題。缺芯現(xiàn)象是如何造成的?物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)域,英飛凌發(fā)力...
貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號(hào)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方...
還記得2018年比亞迪發(fā)布的IGBT4.0技術(shù)嗎?當(dāng)時(shí),比亞迪放言IGBT4.0打破國(guó)外芯片壟斷,開(kāi)創(chuàng)了“中國(guó)芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性,同時(shí)擁有與...
IGBT工作中的特性以及IGBT的動(dòng)態(tài)特性的介紹
IGBT工作中的特性: IGBT 的靜態(tài)特性, 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開(kāi)關(guān)特性。 (1)光電流特性: IGBT 的光電流特性就是指...
華大半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首款車規(guī)級(jí)隔離型IGBT柵極驅(qū)動(dòng)芯片
集成豐富的保護(hù)功能:具備軟關(guān)斷、退飽和檢測(cè)(DESAT)、有源米勒電流鉗位、欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)、故障反饋輸出(DESAT & UVLO)等多種保護(hù)功能;
2020-04-29 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)芯片華大半導(dǎo)體 7119 0
大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說(shuō),在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒(méi)有問(wèn)題...
2011-12-29 標(biāo)簽:逆變器IGBT單管驅(qū)動(dòng) 7028 0
當(dāng)電源輸出過(guò)載或者短路時(shí),IGBT的Vce值則變大,根據(jù)此原理可以對(duì)電路采取保護(hù)措施。對(duì)此通常使用專用的驅(qū)動(dòng)器EXB841,其內(nèi)部電路能夠很好地完成降柵...
2012-03-08 標(biāo)簽:保護(hù)電路IGBT過(guò)流檢測(cè) 7014 0
IGBT中頻電源概述及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
串聯(lián)諧振中頻感應(yīng)爐采用IGBT中頻電源。IGBT中頻電源是一種新型的IGBT逆變器模塊,主要用來(lái)熔煉碳鋼,合金鋼,鑄鋼,有色金屬。IGBT中頻電源具有加...
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放
2018年市場(chǎng)規(guī)模60億美元 國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)業(yè)化突破在即
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole的報(bào)告顯示,全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模在未來(lái)幾年時(shí)間將繼續(xù)保持穩(wěn)定的增長(zhǎng)勢(shì)頭,市場(chǎng)規(guī)模至2018年將達(dá)到60億美元的數(shù)值。 在產(chǎn)品分布...
芯派科技:在原有單管功率循環(huán)設(shè)備上增購(gòu)了IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)
隨著電子行業(yè)的飛速發(fā)展,IGBT模塊在新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)電子電力系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、新能源裝備等新型產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域得到了更廣泛的應(yīng)用,與...
2020-10-12 標(biāo)簽:IGBT功率循環(huán)測(cè)試 6819 0
中國(guó)IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動(dòng)力
由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)于一體,具有開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點(diǎn),因此在電機(jī)控...
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