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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      igbt資訊

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      陸芯科技正式推出650V40A GEN3的IGBT單管，產品型號為YGW40N65FMA1，產品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺TO24...

      2024-12-14 標簽：封裝IGBT陸芯科技 287 0

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      2023-08-16 標簽：MOSFETIGBT晶體管 286 0

      安世半導體650V IGBT網絡研討會前瞻

      IGBT是中高壓應用的主要器件。為滿足越來越多的對穩健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先進的載流子儲存溝...

      2024-12-09 標簽：IGBT功率半導體Nexperia 279 0

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      近日，2024中國電力電子與能量轉換大會暨中國電源學會第二十七屆學術年會及展覽會（CPEEC & CPSSC 2024）在西安隆重召開。會議通過...

      2024-11-13 標簽：IGBT功率器件宏微科技 272 0

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      2024-11-23 標簽：驅動器IGBT青銅劍技術 270 0

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      2024-12-27 標簽：封裝IGBT晶體管 270 0

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      2024-11-19 標簽：IGBT功率模塊錫焊 267 0

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