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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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.通電導(dǎo)通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0...
光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們?cè)谙到y(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1619 0
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如何確定IGBT的額定電壓?
集電極-發(fā)射極額定電壓(UCES) :IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下,集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓。
2024-05-01 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)IGBT電源轉(zhuǎn)換 2936 0
IGBT的基本工作原理、開(kāi)關(guān)特性及其輸入特性
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
PWM方式開(kāi)關(guān)電源中IGBT的損耗分析
在任何裝置中使用IGBT 都會(huì)遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問(wèn)題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個(gè)直觀參數(shù)確定之后, 終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗...
在電控模塊中,IGBT模塊是逆變器的最核心部件,總結(jié)其工作原理:通過(guò)非通即斷的半導(dǎo)體特性,不考慮過(guò)渡過(guò)程和寄生效應(yīng),我們將單個(gè)IGBT芯片看做一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。
2024-04-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 780 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的核心器件,以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能在諸多領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其工作原理基于絕緣柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高輸入阻抗與...
功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中,IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化,失效模式可能存在 多個(gè)影響因素,如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。
一、BOOST電路簡(jiǎn)介Boost升壓電路是一種直流—直流變換電路,即是一種開(kāi)關(guān)直流升壓電路。電路由直流電壓源、電感L、開(kāi)關(guān)管Q、二極管D、濾波電容C、負(fù)...
目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開(kāi)關(guān)。如IGCT其耐壓可達(dá)6.5kV,通斷電流可達(dá)4000A。但在輸電系統(tǒng)中,其電壓電...
2024-04-16 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT配電系統(tǒng) 1059 0
IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):揭秘門極電壓選擇的奧秘
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具有低開(kāi)關(guān)損...
車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對(duì)比
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
2024-04-09 標(biāo)簽:三極管MOS管發(fā)射機(jī) 1.1萬(wàn) 0
其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點(diǎn)較小,芯片工作中產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式由芯片向基板單向傳遞,在此過(guò)程中會(huì)遇到一定的阻力,稱為導(dǎo)熱熱阻。
ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開(kāi)發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問(wèn)題呢?
BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點(diǎn)是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的降噪性能和低損耗性能。
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運(yùn)行過(guò)程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過(guò)程中對(duì)基板上形成開(kāi)裂,造成基板的裂紋;第三是對(duì)...
IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來(lái)越...
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