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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
IGBT行業(yè)需求增長(zhǎng): IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,我國(guó)能源需求大...
2022-08-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1000 0
氣候變化和社會(huì)對(duì)環(huán)境問(wèn)題日益敏感,需要為化石燃料動(dòng)力汽車開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求設(shè)計(jì)具有較低體積、較高發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速以及能夠在較不豐富的...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
電路圖其實(shí)就是最經(jīng)典的Marx電路,通過(guò)并聯(lián)充電,串聯(lián)放電來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的逐級(jí)累加,理論上可以獲得無(wú)窮大的電壓。開關(guān)這里選的全是1100V的IGBT,并且用...
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到...
2022-08-06 標(biāo)簽:IGBT 2366 0
1200V 300A SiC MOSFET開關(guān)性能評(píng)估
由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析
在設(shè)計(jì)電力電子設(shè)備時(shí),我們需要評(píng)估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求,以優(yōu)化設(shè)計(jì)周期時(shí)間,從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
嵌入式設(shè)計(jì)用于解決智??能電源要求的MCU功能
使能引腳可以在錯(cuò)誤條件下輕松覆蓋 PWM 控制輸入,從而提高安全性和可靠性。此外,框圖中間的 UVLO 模塊有助于控制驅(qū)動(dòng)器的斜升(它使驅(qū)動(dòng)器保持關(guān)閉,...
2022-08-03 標(biāo)簽:mcuIGBT模數(shù)轉(zhuǎn)換器 958 0
如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對(duì)IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參...
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4056 0
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而,越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來(lái)看,單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電(ESD)損壞。然而...
傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開關(guān)損耗的影響。為了高效運(yùn)行,IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管 (FRD),如圖 1 所示。隨著 Rohm...
使用繼電器或者IGBT y以上電路就是使用PWM控制IGBT快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)控制大電流的例子。 IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓...
2022-07-27 標(biāo)簽:繼電器pcb電路設(shè)計(jì) 8260 0
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò),如低損耗、高速...
2022-07-26 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC-MOSFET 2623 0
SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通常基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
IGBT的三種安全工作區(qū)(FBSOA/RBSOA/SCSOA)
失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深...
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi66x1A和NSi6601M發(fā)布
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布,均適用于驅(qū)動(dòng)SiC,IGBT和MOSFET等功率管,兼具車規(guī)(滿足AEC...
2022-07-22 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器納芯微 2784 0
全面解讀DIPIPMTM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧
通常大家所提到的IGBT,一般指分立IGBT器件或IGBT模塊,這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ),一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT...
基于IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)器IC的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中持續(xù)增長(zhǎng)。伴隨著這種增長(zhǎng),對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)...
2022-07-21 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2085 0
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