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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國內(nèi)涌現(xiàn)越來越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
工控的IGBT市場規(guī)模在近年來逐步增大,尤其是隨著我國變頻器、電焊機市場穩(wěn)步增長,工業(yè)機器人市場加速發(fā)展,對應(yīng)的工控 IGBT 市場也將穩(wěn)步增長。
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。 這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IG...
快恢復(fù)二極管FRD器件的應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電力電子技術(shù)正向著輕型化、微型化、智能化、節(jié)能化發(fā)展,各種控制電路和不間斷電源、開關(guān)電源的應(yīng)用不斷擴大。做為直接影響這些電路設(shè)計合理性和運行可靠性的...
2023-02-24 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源晶閘管 1068 0
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
對于變頻器的維修,總的來說,首先要對其工作原理有較透徹的理解,對每個電路的性能指標(biāo)、工作點及器件的性能、好壞都能有一個正確的判別,才能真正地修好每一臺設(shè)...
從 20 世紀 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航怠⒏〉拈_關(guān)損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
2023-02-24 標(biāo)簽:電路IGBT半導(dǎo)體器件 3961 0
本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀,并對 IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點和電學(xué)特性做了簡要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...
2023-02-24 標(biāo)簽:emiIGBT半導(dǎo)體器件 4983 0
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515,專為驅(qū)動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?
可控硅:能夠被低功率的控制信號打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關(guān)斷而不能被控制信號關(guān)斷,因此又被稱為半可控開關(guān)。
2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4374 0
IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會構(gòu)成問題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 7219 0
簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點,如驅(qū)動...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高...
MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點是擊穿電壓低,工作電流小。
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