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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT模塊是由不同的材料層構成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數以及熱導率存在很大的差異,...
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術是DBC(直接覆銅)工藝技術的進一步發展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接。
從發展歷程來看,20世紀50年代,功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統;20世紀60至70年代,晶閘管等半導體功率器件快速發展
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調和工業設備的效率
GT30J65MRB用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導體器件經過業界驗證,對于節能工作意義重...
變頻調速電機是由變頻器、電纜和電機組成的。變頻器的核心控制部件有BJT(雙極晶體管)、IGBT(絕緣柵)等多種類型,其中IGBT具有驅動簡單、易于保護和...
IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGB...
參數漂移是隨著部件退化而發生的,而電學特性,如V行政長官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內,由于在設備或模塊內累積損壞
2023-03-13 標簽:IGBT 815 0
高電壓會導致壓縮機、PTC和電機驅動MCU成本增.加,以當前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅動系統為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。
變頻器是應用變頻技術與微電子技術,通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。** 變頻器靠內部IGBT的開斷來調整輸出電源的電壓和頻率...
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數學模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...
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