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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

探索高壓輸電:電壓源換流器

探索高壓輸電:電壓源換流器

VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象,原因如下:VSC具有較低的系統(tǒng)成本,因?yàn)樗鼈兊呐湔颈容^簡(jiǎn)單。VSC實(shí)現(xiàn)了電流的雙向流動(dòng),更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控...

2023-04-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器IGBTVSC 3689 0

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性,但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...

2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT等效電路 1164 0

BGH75N120HF1在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用

NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

2023-04-04 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管PCS 1612 0

有哪些國(guó)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT型號(hào)可以用于高頻車(chē)載正弦波逆變器呢?

IGBT在高頻車(chē)載正玄波逆變器中一般起到控制和調(diào)節(jié)電流的作用。

2023-04-04 標(biāo)簽:正弦波逆變器IGBT 3452 0

二極管反向恢復(fù)特性和機(jī)理

二極管反向恢復(fù)特性和機(jī)理

在電子電路中,二極管是最常用的基礎(chǔ)電子元器件之一,在電力電子電路中,二極管與開(kāi)關(guān)器件形影相隨,并且在很多情況下,二極管的數(shù)量要多于開(kāi)關(guān)器件,可見(jiàn)其重要性...

2023-04-04 標(biāo)簽:二極管電子元器件IGBT 1.3萬(wàn) 0

IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理

根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類(lèi)型,其中新能源汽車(chē)、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...

2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 2683 0

變頻器缺相故障如何判斷和維修?

變頻器缺相故障是常見(jiàn)的故障之一,要知道變頻器產(chǎn)品中主要有單相220V與三相380V的區(qū)分,當(dāng)然輸入缺相檢測(cè)只存在于三相的產(chǎn)品中。圖1所示為變頻器主電路,...

2023-04-04 標(biāo)簽:濾波器變頻器電機(jī) 5836 0

IGBT驅(qū)動(dòng)到底是做什么的?

IGBT驅(qū)動(dòng)到底是做什么的?

當(dāng)然,操作IGBT,不再是手,而是電子脈沖。高電平來(lái)臨時(shí),器件開(kāi)通;低電平來(lái)臨時(shí),器件就關(guān)斷。手動(dòng)操作開(kāi)關(guān),可能一秒鐘一兩次,而我們的電子開(kāi)關(guān),一秒鐘可...

2023-04-04 標(biāo)簽:IGBT器件驅(qū)動(dòng)電機(jī) 884 0

UCC21520在LLC電路中的應(yīng)用

UCC21520在LLC電路中的應(yīng)用

UCC21520是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可以提供4A sink電流,6A source電流,可以支持很高的開(kāi)關(guān)頻率并有較高的隔離強(qiáng)度,常被用來(lái)驅(qū)動(dòng)...

2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 5537 0

功率因數(shù)校正電路的開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案

功率因數(shù)校正電路的開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案

常用的有橋PFC為boost PFC電路,如圖1所示,在整流橋之后使用一個(gè)boost電路完成功率因素校正和輸出電壓穩(wěn)定的功能。選用boost電路的一個(gè)重...

2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBTPFC 1530 0

門(mén)驅(qū)動(dòng)的欠壓保護(hù)功能及其注意事項(xiàng)

門(mén)驅(qū)動(dòng)的欠壓保護(hù)功能及其注意事項(xiàng)

IGBT/MOSFET等全控型開(kāi)關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來(lái)越高,其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開(kāi)關(guān)管在門(mén)極電壓較...

2023-04-03 標(biāo)簽:芯片MOSFETIGBT 1440 0

有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)一樣嗎?怎么驅(qū)動(dòng)大功率直流電機(jī)?

有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的原理是不同的,因此,在驅(qū)動(dòng)方式上也存在較大的差異。

2023-04-01 標(biāo)簽:IGBTESC有刷直流電機(jī) 2783 0

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。

2023-04-01 標(biāo)簽:二極管IGBTIC芯片 2575 0

mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)

在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開(kāi)關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。

2023-04-01 標(biāo)簽:MOSFET整流器IGBT 7659 0

PWM型逆變電路原理

PWM型逆變電路原理

單極性PWM控制方式 1.調(diào)制法: 在調(diào)制信號(hào)ur和載波信號(hào)uc的交點(diǎn)時(shí)刻控制IGBT通斷 ①u(mài)r正半周,V1保持通,V2保持?jǐn)唷?/p>

2023-03-31 標(biāo)簽:PWMIGBT逆變電路 3695 0

銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類(lèi)似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽:IGBT氮化鎵功率模塊 3399 0

聊一聊逆變電路工作原理

聊一聊逆變電路工作原理

本文以單相橋式逆變電路為例簡(jiǎn)單說(shuō)明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個(gè)臂,由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。

2023-03-31 標(biāo)簽:晶閘管IGBT逆變電路 2479 0

英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析

該模塊由塑料外殼封裝起來(lái),底部為導(dǎo)熱鈑金,導(dǎo)熱鈑金貼在散熱器上,用四個(gè)螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。

2023-03-31 標(biāo)簽:英飛凌變頻器IGBT 6356 0

IGBT半導(dǎo)體與MOS管、三極管的區(qū)別

我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...

2023-03-31 標(biāo)簽:三極管MOS管IGBT 2094 0

SiC MOSFET為何替代不了IGBT?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...

2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2114 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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