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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象,原因如下:VSC具有較低的系統(tǒng)成本,因?yàn)樗鼈兊呐湔颈容^簡(jiǎn)單。VSC實(shí)現(xiàn)了電流的雙向流動(dòng),更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控...
2023-04-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器IGBTVSC 3689 0
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性,但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
BGH75N120HF1在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用
NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
有哪些國(guó)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT型號(hào)可以用于高頻車(chē)載正弦波逆變器呢?
IGBT在高頻車(chē)載正玄波逆變器中一般起到控制和調(diào)節(jié)電流的作用。
在電子電路中,二極管是最常用的基礎(chǔ)電子元器件之一,在電力電子電路中,二極管與開(kāi)關(guān)器件形影相隨,并且在很多情況下,二極管的數(shù)量要多于開(kāi)關(guān)器件,可見(jiàn)其重要性...
IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類(lèi)型,其中新能源汽車(chē)、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 2683 0
變頻器缺相故障是常見(jiàn)的故障之一,要知道變頻器產(chǎn)品中主要有單相220V與三相380V的區(qū)分,當(dāng)然輸入缺相檢測(cè)只存在于三相的產(chǎn)品中。圖1所示為變頻器主電路,...
當(dāng)然,操作IGBT,不再是手,而是電子脈沖。高電平來(lái)臨時(shí),器件開(kāi)通;低電平來(lái)臨時(shí),器件就關(guān)斷。手動(dòng)操作開(kāi)關(guān),可能一秒鐘一兩次,而我們的電子開(kāi)關(guān),一秒鐘可...
2023-04-04 標(biāo)簽:IGBT器件驅(qū)動(dòng)電機(jī) 884 0
UCC21520是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可以提供4A sink電流,6A source電流,可以支持很高的開(kāi)關(guān)頻率并有較高的隔離強(qiáng)度,常被用來(lái)驅(qū)動(dòng)...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 5537 0
功率因數(shù)校正電路的開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案
常用的有橋PFC為boost PFC電路,如圖1所示,在整流橋之后使用一個(gè)boost電路完成功率因素校正和輸出電壓穩(wěn)定的功能。選用boost電路的一個(gè)重...
門(mén)驅(qū)動(dòng)的欠壓保護(hù)功能及其注意事項(xiàng)
IGBT/MOSFET等全控型開(kāi)關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來(lái)越高,其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開(kāi)關(guān)管在門(mén)極電壓較...
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)一樣嗎?怎么驅(qū)動(dòng)大功率直流電機(jī)?
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的原理是不同的,因此,在驅(qū)動(dòng)方式上也存在較大的差異。
2023-04-01 標(biāo)簽:IGBTESC有刷直流電機(jī) 2783 0
IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。
mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開(kāi)關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
單極性PWM控制方式 1.調(diào)制法: 在調(diào)制信號(hào)ur和載波信號(hào)uc的交點(diǎn)時(shí)刻控制IGBT通斷 ①u(mài)r正半周,V1保持通,V2保持?jǐn)唷?/p>
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類(lèi)似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析
該模塊由塑料外殼封裝起來(lái),底部為導(dǎo)熱鈑金,導(dǎo)熱鈑金貼在散熱器上,用四個(gè)螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。
我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2114 0
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