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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業 IGBT選型

igbt技術

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2023-10-12 標簽：晶閘管 IGBT 功率模塊 1330 0

SKiN技術到底是什么樣的

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2023-10-11 標簽：芯片西門子散熱器 997 0

探討一下IGBT的片上電流傳感器基本原理及用法

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2023-10-10 標簽：emi PWM IGBT 861 0

IGBT模塊關斷電阻對關斷尖峰的非單調性影響

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2023-10-10 標簽：散熱器 IGBT SiC 1783 0

功率半導體：車載逆變器電路控制的核心

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本應用筆記主要闡述了DESAT保護電路工作原理以及在設計DESAT外圍電路時需要考慮的一些因素。

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充電樁行業七大發展趨勢

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Cu-Clip互連技術有哪些特點呢？

Cu-Clip技術，它可以應用在很多模塊封裝形式當中。它的特點有：降低寄生電感和電阻，增加載流能力，相應地提高可靠性，以及靈活的形狀設計。

2023-10-07 標簽：IGBT CMC 寄生電感 1771 0

車規模塊系列（四）：Cu-Clip互連技術簡析

在上篇討論TPAK封裝時，我們聊到了Cu-Clip技術，當然它可以應用在很多模塊封裝形式當中

2023-10-07 標簽：IGBT SiC 寄生電感 2207 0

高集成度智能柵極驅動光耦通吃MOSFET和IGBT簡析

光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉換器件。光耦由發光源和受光器兩部分組成，密閉于同一殼體內，彼此用透明絕緣體隔離。

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