用于 5G 行業(yè)的射頻功率半導(dǎo)體

使用 WBG 材料的射頻功率半導(dǎo)體解決了 5G 應(yīng)用中的許多技術(shù)挑戰(zhàn)，縮小了與舊的基于硅的技術(shù)之間的差距。 5G 技術(shù)的進(jìn)步正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)面臨新的技...

2022-08-05 標(biāo)簽：射頻SiCGaN 1523 0

氮化鎵，并網(wǎng)轉(zhuǎn)換器vista

多年來(lái)，設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來(lái)。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...

2022-08-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 953 0

使用GaN進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換

分立式 GaN 解決方案的速度無(wú)疑比硅等效方案更快。使用數(shù)字控制，它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關(guān)固件消除了許多設(shè)計(jì)瓶頸。

2022-08-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體GaN 859 0

使用GaN Power走在前沿

GaN 晶體管是當(dāng)今存在的“最冷”組件之一。即使在高溫和極端條件下，其低結(jié)電阻也可實(shí)現(xiàn)低溫和低能量損失。這是這種材料廣泛用于許多關(guān)鍵部門(mén)的主要原因之一，...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管GaN 1001 0

面向汽車(chē)的GaN FET和SiGe整流器

GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來(lái)了一些硅技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用。

2022-08-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器整流器GaN 804 0

通過(guò)測(cè)試和認(rèn)證確保GaN的可靠性

該 氮化鎵產(chǎn)業(yè) 的目的是證明氮化鎵的解決方案至少有相同的預(yù)期壽命為硅MOSFET，理想，美好的生活。該行業(yè)和 JEDEC JC-70 委員會(huì)正在努力為 ...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體GaN 1276 0

使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要更多的奉獻(xiàn)精神

工程師熟悉電磁干擾、并聯(lián)和布局，但在從硅基芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。 據(jù)chip稱，硅（Si）基半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)先十...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)計(jì)SiC 1023 0

碳化硅、氮化鎵：注意帶隙

近年來(lái)，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。S...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 954 0

如何設(shè)計(jì)帶有GaN ToF激光驅(qū)動(dòng)器的LiDAR系統(tǒng)

EPC21601 是一種激光驅(qū)動(dòng)器，在高達(dá) 200 MHz 的高頻下使用 3.3 V 邏輯進(jìn)行控制，以調(diào)制高達(dá) 10 A 的激光驅(qū)動(dòng)電流。開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間...

2022-08-04 標(biāo)簽：EPCGaN激光驅(qū)動(dòng)器 2871 0

用于數(shù)據(jù)中心的 GaN 技術(shù)

在第一部分，我們研究了數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，并介紹了氮化鎵 (GaN) 功率 IC 及其在第二次電力電子革命中的作用。現(xiàn)在，讓我們看看數(shù)據(jù)中心本身內(nèi)支持 GaN...

2022-08-04 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心GaN功率IC 1004 0

GaN集成電路如何重新定義電源轉(zhuǎn)換

氮化鎵 (GaN) 功率器件已經(jīng)生產(chǎn)超過(guò) 10 年，除了性能和成本改進(jìn)之外，GaN 技術(shù)影響功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的最重要機(jī)會(huì)來(lái)自于在同一襯底上集成多個(gè)器件的內(nèi)在...

2022-08-04 標(biāo)簽：集成電路電源轉(zhuǎn)換GaN 1046 0

使用 GaN 的可再生能源存儲(chǔ)使烏托邦觸手可及

雖然世界各國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人在推動(dòng)大規(guī)模氣候議程和政策以更好地保護(hù)環(huán)境方面處于中心地位，但關(guān)于可再生能源存儲(chǔ)行業(yè)及其塑造我們未來(lái)甚至拯救地球的作用，還有一個(gè)不為人...

2022-08-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)能源GaN 324 0

功率 GaN 技術(shù)和銅夾封裝

越來(lái)越多的社會(huì)壓力和越來(lái)越多的減少二氧化碳排放的立法正在推動(dòng)從汽車(chē)到電信的行業(yè)投資于更高效的電力轉(zhuǎn)換和增加電氣化。傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體技術(shù)如絕緣柵雙極晶...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝GaN 1336 0

用于 5G 應(yīng)用的基于 GaN 的無(wú)線電力傳輸

5G 支持大量數(shù)據(jù)，顯著降低延遲，并提供越來(lái)越大的帶寬覆蓋范圍，以支持變得更加龐大的物聯(lián)網(wǎng)。 5G 是準(zhǔn)備為物聯(lián)網(wǎng)提供動(dòng)力的最新一代網(wǎng)絡(luò)。運(yùn)行 5G 的...

2022-08-04 標(biāo)簽：射頻GaN5G 1060 0

GaN 為電源應(yīng)用開(kāi)辟了新領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，在長(zhǎng)期以來(lái)由傳統(tǒng)硅 (Si) 基組件主導(dǎo)的多種電源應(yīng)用中正在獲得動(dòng)力。高效率、在比硅更高的開(kāi)關(guān)頻率...

2022-08-04 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體設(shè)計(jì) 655 0

Eggtronic 為電動(dòng)汽車(chē)提供基于 GaN 的無(wú)線交流傳輸技術(shù)

Eggtronic 宣布推出 E 2 WATT，這是一種新的專利交流無(wú)線電力混合技術(shù)，旨在提高家用電器甚至汽車(chē)無(wú)線充電應(yīng)用的功率和效率。Eggtroni...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)無(wú)線傳輸技術(shù) 879 0

用于電動(dòng)汽車(chē)的氮化鎵

能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場(chǎng)。電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1842 0

基于GaN的ANPC PWL三電平電壓發(fā)生器的設(shè)計(jì)

為了減小體積大的電感和電容元件的尺寸，激發(fā)了諸如氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN E-HEMT) 之類的寬帶隙器件，并且已經(jīng)觀察到可以在少數(shù)幾個(gè)器件中...

2022-08-03 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電壓發(fā)生器GaN 1712 0