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      標簽　>　gan

      gan

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      文章：1692個 瀏覽：73956次 帖子：159個

      gan資訊

      為電源管理鋪平道路

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      2022-08-08 標簽：電源管理晶體管降壓轉換器 451 0

      碳化硅和氮化鎵的區別

      碳化硅和氮化鎵的區別

      經典電力電子設備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經典的硅器件在許多應用領域已經達到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術是...

      2022-08-08 標簽：氮化鎵GaN碳化硅 1.8萬 0

      用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

      用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

      由佐治亞理工學院機械工程學院領導的一個團隊實施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發的技術...

      2022-08-08 標簽：工業功率器件GaN 2396 0

      GaN 增長因效率提升而呈爆炸式增長

      GaN 增長因效率提升而呈爆炸式增長

      電力電子系統的性能發生了重大轉變，它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶體管驅動。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了顯著提高...

      2022-08-08 標簽：半導體GaN效率 993 0

      碳化硅在電力電子領域的應用挑戰

      碳化硅在電力電子領域的應用挑戰

      碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導體是提高系統效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設計成本的創新選擇。碳化硅是...

      2022-08-08 標簽：電力電子GaN碳化硅 1957 0

      用于新型電力電子設備的垂直GaN器件

      用于新型電力電子設備的垂直GaN器件

      GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...

      2022-08-08 標簽：轉換器開關電源電力電子 1803 0

      用于航空航天和國防的 GaN 和 SiC 解決方案

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      WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類產品高出幾個數量級，包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開關速度能力以及十分之一的能量損失。...

      2022-08-08 標簽：電源SiCGaN 1530 0

      數字電源與 GaN 相結合可實現 99% 的效率

      從電力電子設備使用真空管的早期開始，電力工程師就一直關注能效、功率優化以及如何使電源更可靠、更小、更智能。 我們中可能很少有人記得引入了 Thyratr...

      2022-08-08 標簽：數字電源GaN 862 0

      汽車應用中的寬帶隙材料

      汽車應用中的寬帶隙材料

      寬帶隙半導體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...

      2022-08-08 標簽：SiCGaN碳化硅 963 0

      工業家合作滿足 GaN 和 SiC 市場需求

      工業家合作滿足 GaN 和 SiC 市場需求

      GaN和 SiC令人印象深刻的品質使它們深受業內人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產和供應需求的挑戰，因此專業人士、投資者和工業家正在合作以確保足夠的可用...

      2022-08-08 標簽：SiCGaN 927 0

      GaN下游：功率、射頻市場格局；國內外產業發展現狀

      【核芯觀察】是電子發燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產業架構，理清上、中、下游的各個環節，同時迅速了解各大細分環節中...

      2022-08-07 標簽：功率器件氮化鎵GaN 6881 0

      GaN材料MOSFET管測試對高帶寬高壓差分探頭要求

      GaN材料主要應用于偏低壓應用例如800V以下的應用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強性高電子遷移率異質節晶體管（HEMT）和600V ...

      2022-08-05 標簽：MOSFETGaN差分探頭 801 0

      GaN為高效功率器件鋪平道路

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      MOSFET 和 IGBT 技術的引入還使硅能夠在功率應用中使用，其特點是電流和電壓特別高。

      2022-08-05 標簽：MOSFETIGBTGaN 899 0

      寬禁帶半導體前景樂觀

      對電子設備的需求激增正在推動半導體行業多個領域的增長。制造商通過使用非傳統產品和應用程序添加差異化服務來尋求競爭優勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 （WBG...

      2022-08-05 標簽：電平轉換器GaN寬禁帶半導體 1750 0

      GaN晶體管熱管理指南

      GaN晶體管熱管理指南

      GaN 晶體管越來越多地用于各個領域：汽車領域、電力供應以及電流的轉換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們來看看如何更好地管理不同的操作條件...

      2022-08-05 標簽：晶體管GaN熱管理 1314 0

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      GaN和SiC等寬帶隙技術的挑戰

      對硅替代品的探索始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發光、傳感器和功率半導體等領域替代現有硅材...

      2022-08-05 標簽：二極管功率器件GaN 872 0

      基于 GaN 的 Dickson 轉換器提高 EV 效率

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      電動汽車 (EV) 電力需求的增加已將傳統的 12V 系統推至其最大容量 3 kW。因此，開發了一個補充 48-V 網絡。1,2 48V 總線和內核電壓...

      2022-08-05 標簽：電動汽車電源轉換器 1138 0

      GaN 與 Si 在 48 V 下的對比……前線最新消息

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      氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉換應用的系統成本。在這些應用中，eGaN ? FET 和 IC 的應用迅...

      2022-08-05 標簽：半導體EPCGaN 1403 0

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      通過測試和測量持久力來評估電子設備的質量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現更高效的功率轉換，...

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      GaN改變充電器設計

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      氮化鎵 (GaN) 開關技術推動了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發可以在高開關頻率下運行的轉換器。GaN 減小了變壓器尺寸...

      2022-08-05 標簽：充電器適配器GaN 856 0

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