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大廠聯(lián)手推進(jìn),GaN邁進(jìn)OBC和48V系統(tǒng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)GaN功率器件的價(jià)格在近年持續(xù)下跌,部分650V、150V規(guī)格的GaN器件價(jià)格已經(jīng)與同規(guī)格的硅基器件相近,并且高頻性能更強(qiáng)...
2023-10-14 標(biāo)簽:GaN 2348 0
譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體GaN器件品牌發(fā)布會(huì),攜全產(chǎn)業(yè)鏈Super IDM模式實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)效率革命
10月13日,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館) 正式舉辦氮化鎵(GaN)器件品牌發(fā)布會(huì),暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)...
2023-10-13 標(biāo)簽:GaN 261 0
英諾賽科發(fā)布100V VGaN,支持48V BMS應(yīng)用
摘要:英諾賽科推出 100V 雙向?qū)ㄆ骷稍陔姵毓芾硐到y(tǒng)、雙向變換器的高側(cè)負(fù)荷開關(guān)、電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效應(yīng)用。 ? 英諾賽科宣布推出 ...
Transphorm公司的TOLL FET將GaN定位為適用于耗電型AI應(yīng)用的最佳器件
Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體(下一代電力系統(tǒng)的未來)領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOL...
大象轉(zhuǎn)身,TPU-MLIR適配DragGAN模型前向操作
DragGANDragGAN是由谷歌、麻省理工學(xué)院和馬克斯普朗克研究所創(chuàng)建的一種新的人工智能模型。通過點(diǎn)擊、拖動(dòng)等簡(jiǎn)單的交互操作就能改變拍攝對(duì)象的姿勢(shì)、...
開關(guān)模式電源(Switch Mode Power Supply,簡(jiǎn)稱SMPS),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。
2023-10-11 標(biāo)簽:開關(guān)電源smps氮化鎵 550 0
毫無疑問,5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而,較高頻段,特別是毫米波 (mmWave),也給實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)帶來了挑戰(zhàn)。因...
進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...
在元件層面,硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多,并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示,將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...
GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角,受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域,特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...
2023-10-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 671 0
三菱電機(jī)開始提供5G Massive MIMO基站用GaN功率放大器模塊樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年9月14日)宣布,將于9月21日開始提供用于5G Massive MIMO*1(mMIMO)基站的新型氮化鎵(GaN)功率放...
SiC MOSFET逆變器的創(chuàng)新應(yīng)用
碳化硅逆變器將有助于駕駛員更快地為電動(dòng)汽車充電,減輕消費(fèi)者對(duì)續(xù)航里程的焦慮。由于SiC具有更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度,因此它是用于快速充電解決方案的...
2023-09-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 705 0
分析 丨GaN功率器件格局持續(xù)變化,重點(diǎn)關(guān)注這兩家廠商
機(jī)構(gòu)Yole數(shù)據(jù)顯示,2022年GaN功率器件在總功率半導(dǎo)體(功率芯片、功率分立器件和模塊)市場(chǎng)中的占比僅為0.3%。盡管GaN功率率器件的復(fù)合年增長(zhǎng)率...
IQE+VisIC合作開發(fā)車用高可靠性D模式GaN功率產(chǎn)品
VisIC創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Tamara Baksht表示:“我們相信與IQE合作是重塑電動(dòng)汽車行業(yè)的關(guān)鍵一步。我們的D-Mode D3GAN((直接驅(qū)...
2023-09-21 標(biāo)簽:逆變器半導(dǎo)體材料GaN 953 0
如何選擇性價(jià)比高的氮化鎵芯片?采用KT65C1R200D產(chǎn)品
選擇氮化鎵芯片時(shí),根據(jù)應(yīng)用的需求,確定所需的性能指標(biāo),包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號(hào)的氮化鎵芯片有不同的性能特點(diǎn),需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合...
GaN行業(yè)新標(biāo)桿:比業(yè)界最佳Si MOSFET效率高2%,兼容所有驅(qū)動(dòng)器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)為了實(shí)現(xiàn)“雙碳”(“碳達(dá)峰”和“碳中和”)目標(biāo),全球主要國(guó)家和地區(qū)在環(huán)保法規(guī)上持續(xù)收緊,給消費(fèi)、汽車、工業(yè)和能源等重點(diǎn)領(lǐng)域...
2023-09-15 標(biāo)簽:氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 3299 0
MOFEST市場(chǎng)是否會(huì)被氮化鎵取代?
與等效硅基解決方案相比,氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低,因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路,可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
2023-09-14 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 309 0
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