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遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案

遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

2025-01-14 標簽：功率器件 SiC GaN 542 0

UCG28826 中文數據手冊具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉換器

UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器，內置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，可將交流電轉換為直流電，適用于高達 65W的電...

2025-01-21 標簽：反激式轉換器 GaN 123 0

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們...

2025-01-16 標簽：MOS 功率器件 GaN 70 0

嵌入PCB術語拓展

一、術語 1、SiP：System-in-Package SiP是一種先進的封裝技術，它將多個半導體器件、集成電路（IC）或其他電子組件，以及必要的輔助...

2025-01-08 標簽：pcb SiP qfn 332 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。本文為白皮...

2025-01-05 標簽：安森美 SiC GaN 779 0

電源管理芯片U8733產品概述

驅動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調節驅動電流的檔位，從而優化系統的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8...

2024-12-30 標簽：封裝 FET GaN 329 0

TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉換器如何解決交流/直流適配器設計難題

人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉...

2024-12-18 標簽：德州儀器 ti 適配器 643 0

廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉換平臺方案

廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉換參考開發平臺，集成...

2024-12-14 標簽：轉換器微處理器 DC-DC 1263 0

45W電源芯片U8765的高壓啟動功能

高壓啟動是電源芯片在工作中啟動的一種方式，通常是在電源芯片啟動時加入一個高壓信號，使其能夠快速地進入正常工作狀態。45W電源芯片U8765集成了高壓啟動...

2024-12-12 標簽：驅動電路 GaN 電源芯片 237 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法主要包括以下幾個方面：一、晶圓片制備優化多次減薄處理：采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進行多次減薄處理，可...

2024-12-06 標簽：GaN 石英玻璃碳化硅 339 0

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基于GaN HEMT的半橋LLC優化設計和損耗分析

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基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設計

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類別：電子資料 2025-01-02 標簽：驅動器 GaN EVM 45 0

使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器立即下載

類別：電子資料 2025-01-03 標簽：GaN 半橋驅動器 lmg1210 56 0

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類別：電子資料 2024-11-25 標簽：GaN EVM 功率晶體管 79 0

在汽車和工業應用中使用UCC14131EVM-070對GaN和柵極驅動器IC進行偏置立即下載

類別：電子資料 2024-11-09 標簽：GaN EVM 柵極驅動器 95 0

利用LMG1210實現GaN半橋設計的散熱和功耗降低立即下載

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如何使用UCC21220A驅動高壓GaN FET立即下載

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類別：電子資料 2024-09-19 標簽：二極管損耗 GaN 430 0

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解析GaN器件金剛石近結散熱技術：鍵合、生長、鈍化生長

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京東方華燦與晶通半導體簽署合作備忘錄

隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發展，高性能功率器件的需求呈現出前所未有的增長態勢。在這一背景下，2025年1月8日于珠海金灣工...

2025-01-14 標簽：半導體功率器件 GaN 269 0

HFG610-65 數據手冊和產品介紹具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩壓器

HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩壓器，專用于高性能和高頻設計。與傳統QR 反激式穩壓器不同，HFG610-...

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近日，全球領先的半導體解決方案供應商安森美(onsemi)宣布，以2000萬美元的價格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystem...

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第三代半導體廠商加速出海

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芯干線科技2025新年寄語

隨著歲末鐘聲的臨近，我們走過了充滿挑戰與機遇的2024年。

2025-01-02 標簽：半導體 SiC GaN 180 0

探秘GaN功率半導體封裝：未來趨勢一網打盡！

隨著電子技術的飛速發展，功率半導體器件在電力電子、射頻通信等領域的應用日益廣泛。其中，氮化鎵（GaN）功率半導體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導通...

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芯干線科技出席高功率密度GaN數字電源技術交流會

芯干線與世紀電源網強強聯手、傾心打造的“高功率密度 GaN 數字電源技術交流會”，于近日盛大啟幕!

2024-12-24 標簽：仿真數字電源 GaN 298 0

博瑞集信發布三款GaN內匹配功率放大器

近日，博瑞集信宣布推出三款基于GaN(氮化鎵)工藝的內匹配功率放大器，這三款產品均采用緊湊的小尺寸金屬封裝(尺寸為18mm8.7mm2.34mm)，以滿...

2024-12-24 標簽：功率放大器封裝 GaN 180 0

gan數據手冊

型號	描述	數據手冊	參考價格
GS61008P-MR	增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價格

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