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TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設計，包括但不...

2025-04-15 標簽：微控制器電力電子 SiC 171 0

TMS320F28P659DH-Q1 汽車級 C2000 32 位 MCU，600MIPS，2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術手冊

TMS320F28P65x （F28P65x）是 C2000? 實時微控制器系列的一員，該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設計，包...

2025-04-15 標簽：微控制器電力電子器件 IGBT 167 0

分立器件在GaN充電器中的應用

隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)：在高頻狀態(tài)下，電磁...

2025-04-15 標簽：充電器電磁干擾氮化鎵 210 0

TMS320F28P550SJ 實時微控制器技術手冊

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標簽：微控制器 AI SiC 247 0

F29H850TU C2000? 64 位 MCU，帶 C29x 200MHz 三核技術手冊

F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：...

2025-04-14 標簽：微控制器 cpu SiC 221 0

TMS320F28P559SJ-Q1 實時微控制器技術手冊

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2025-04-14 標簽：微控制器電力電子器件 SiC 174 0

TMS320F28P550SG C2000? 32 位 MCU技術手冊

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標簽：微控制器 mcu PWM 181 0

F29H859TU-Q1 汽車級 C2000? 64 位 MCU數(shù)據(jù)手冊

F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：...

2025-04-14 標簽：微控制器存儲器電力電子器件 167 0

ZS826GaN+ZS7606C 高性價比氮化鎵DMOSGaN 20WPD快充方案推薦+測試報告

氮化鎵20WPD快充方案

2025-04-10 標簽：氮化鎵電源 GaN 116 0

30W氮化鎵電源IC U8608的工作原理

30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機...

2025-03-28 標簽：氮化鎵 GaN 電源IC 234 0

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STDRIVEG600驅(qū)動GAN逆變器,在某一拍出現(xiàn)控制信號丟失，導致電機電流跌落的原因？

標簽：逆變器 GaN 8222 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設計和損耗分析

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利用GaN HEMTs降低電機驅(qū)動應用的系統(tǒng)成本立即下載

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GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標簽：拓撲結(jié)構 GaN AHB 262 0

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德州儀器2025慕尼黑上海電子展精彩繼續(xù)

TI 分享精準的電機控制、邊緣計算、智能傳感及實時通信技術，以及如何助力重塑智能、高效、安全的自動化工廠。

2025-04-18 標簽：德州儀器 GaN 慕尼黑上海電子展 108 0

鎵創(chuàng)晶合：從GaN材料到器件研發(fā)，打造三大應用競爭力

氮化鎵的應用已經(jīng)從消費電子的快充向工業(yè)級功率領域滲透，這給了國內(nèi)廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創(chuàng)晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分....

2025-04-16 標簽：GaN 263 1

GaN充電器高頻化之路：分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題？

本文針對 GaN 器件高頻化挑戰(zhàn)，合科泰分析寄生電感振蕩與驅(qū)動信號失真問題，提出通過器件選型、PCB 布局及電路優(yōu)化等方案，提升高頻應用性能與可靠性。

2025-04-11 標簽：充電器分立器件 GaN 107 0

E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦

2025-04-03 標簽：GaN 電源芯片 142 0

薩瑞微電子SiC 和 GaN賦能AI服務器電源系統(tǒng)

01AI服務器電源的核心挑戰(zhàn)與技術需求超高功率密度：單機架功率已從傳統(tǒng)服務器的數(shù)千瓦提升至數(shù)十千瓦（如英偉達DGX-2需10kW，未來GB300芯片預計.....

2025-04-03 標簽：SiC GaN AI服務器 192 0

ST 65W GaN變換器VIPerGaN65D 低成本節(jié)省空間的電源方案

VIPerGaN65D 目標應用鎖定快充、適配器和家電電源意法半導體的VIPerGaN65D反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝，可以用于設計體積較小的高...

2025-04-01 標簽：ST 變換器反激式轉(zhuǎn)換器 255 0

GaN芯片出貨6.6億顆！英諾賽科2024年營收超8.2億，車規(guī)GaN猛增9倍

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2025-04-01 標簽：GaN 英諾賽科 2012 0

芯干線科技亮相2025美國國際電力電子應用展覽會

此前，2025年3月16日-3月20日，國際電力電子應用展覽會（APEC）在美國佐治亞州亞特蘭大會議中心隆重舉行。作為為數(shù)不多的中國功率器件廠商，芯干線...

2025-03-25 標簽：半導體功率器件 GaN 278 0

GaN重大突破！湖北這個實驗室公布三大研究成果

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 3月22日，九峰山實驗室首次公布了GaN相關的研究成果，包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）；全國...

2025-03-25 標簽：GaN 619 0

意法半導體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹

隨著半導體技術不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關鍵技術。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...

2025-03-24 標簽：意法半導體晶體管氮化鎵 519 0

gan數(shù)據(jù)手冊

型號	描述	數(shù)據(jù)手冊	參考價格
GS61008P-MR	增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價格

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