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標簽 > GaAs
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HMC694LP4/694LP4E模擬可變增益放大器,采用SMT封裝,6-17GHz技術手冊
HMC694LP4E是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變增益放大器,工作頻率范圍為6至17 GHz。 該放大器適合微波無線電應用,提供高達22 ...
HMC997LC4模擬可變增益放大器,采用SMT封裝,17-27GHz技術手冊
HMC997LC4是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變增益放大器和/或驅動器放大器,工作頻率范圍為17至27 GHz。 該放大器提供高達20.5...
HMC996LP4E模擬可變增益放大器,采用SMT封裝,5-12GHz技術手冊
HMC996LP4E是一款GaAs PHEMT MMIC模擬可變增益放大器和/或驅動器放大器,工作頻率范圍為5至12 GHz。 該放大器提供高達18.5...
HMC6187LP4E可變增益放大器,采用SMT封裝,27-31.5GHz技術手冊
HMC6187LP4E是一款GaAs MMIC pHEMT模擬可變增益放大器和/或驅動器放大器,工作頻率范圍為27至31.5 GHz,適合用于微波無線電...
HMC8120 71GHz至76GHz,E頻段可變增益放大器技術手冊
HMC8120是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)可變增益放大器和/或驅動器放大器,工作頻率范圍為7...
HMC8121 81GHz至86GHz,E頻段可變增益放大器技術手冊
HMC8121是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)可變增益放大器和/或驅動器放大器,工作頻率范圍為8...
HMC625BLP5E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位數字可變增益放大器技術手冊
HMC625BLP5E是一款數字控制可變增益放大器,工作頻率范圍為DC至5 GHz,可編程為以0.5 dB步長提供13.5 dB衰減至18 dB增益范圍...
HMC942LP4E x2有源倍頻器,25-31GHz輸出技術手冊
HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器,使用GaAs pHEMT技術,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號驅動時,該倍頻器...
TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-17 標簽:場效應晶體管GaAs 91 0
MAAL_010528高性能X波段GaAs LNA規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-19 標簽:LNAGaAs 280 0
類別:IC datasheet pdf 2023-07-06 標簽:LNAGaAs噪聲放大器 341 0
MAAL-010528高性能X波段GaAs LNA規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-04 標簽:LNAGaAs 303 0
HMC742ALP5E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位數字可變增益放大器,采用SMT封裝技術手冊
HMC742A是一款數字控制可變增益放大器,工作頻率范圍為70 MHz至4 GHz,可通過編程提供-19.5 dB衰減至12 dB增益,步進為0.5 d...
聚燦光電宣布擴建Mini/Micro LED芯片研發及制造項目
3月6日,聚燦光電發布公告,宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發及制造擴建項目”的部分募集資金(共計8億元)用途,用于新項目“年產240萬片...
影響二極管開關速度的主要因素是什么? 二極管開關是電子設備領域中不可或缺的一種元件,它具有快速切換衰減電壓的特性。二極管開關速度影響了整個電路的性能,包...
GaAs基VCSEL已廣泛應用于三維成像、無人駕駛、物聯網、數據通訊等領域,同時在光電對抗、激光雷達、航空航天等高精尖領域也發揮著巨大的作用和潛能。
軍備芯片和商用芯片的區別 芯片14nm對比5nm差距在哪里?
其實就目前的情況(截止2022年)而言,現實和他們想的相反,在很多軍工領域,我國現役軍備里的芯片反而比美帝要先進,實際情況大概率是美國戰斗機用90nm芯...
淺析Tower硅光子平臺結合光纖與硅芯片連接技術及量子點激光器
Bump-ready晶圓將Tower的PH18硅光子技術與允許同時將大量光纖連接到芯片的功能相結合——顯著簡化了組裝成用于數據中心和電信網絡的最終高速數...
HMC624A是一款6位數字衰減器,以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定頻率范圍內...
為了實現更高的工作頻率和更低的功耗,硅基 SiGe 射頻 CMOS 和 BiCMOS 工藝技術在21 世紀初得到較為廣泛的研究。
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