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標(biāo)簽 > fram

fram簡介

  FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。

  特點

  FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題;但受鐵電晶體特性制約,F(xiàn)RAM仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。

  FRAM存儲單元結(jié)構(gòu)

  FRAM的存儲單元主要由電容和場效應(yīng)管構(gòu)成,但這個電容不是一般的電容,在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應(yīng)管和2個電容,稱為“雙管雙容”(2T2C),每個存儲單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

fram百科

  FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。

  特點

  FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題;但受鐵電晶體特性制約,F(xiàn)RAM仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。

  FRAM存儲單元結(jié)構(gòu)

  FRAM的存儲單元主要由電容和場效應(yīng)管構(gòu)成,但這個電容不是一般的電容,在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應(yīng)管和2個電容,稱為“雙管雙容”(2T2C),每個存儲單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

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fram技術(shù)

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2024-12-26 標(biāo)簽:儀表fram鐵電存儲器 313 0

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鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點

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