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      標(biāo)簽　>　EPROM數(shù)據(jù)

      EPROM數(shù)據(jù)

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      EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明，是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片——即非易失性的（非揮發(fā)性）。它是一組浮柵晶體管，被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。

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      EPROM數(shù)據(jù)簡(jiǎn)介

      　　EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明，是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片——即非易失性的（非揮發(fā)性）。它是一組浮柵晶體管，被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強(qiáng)紫外線照射來(lái)擦除。通過(guò)封裝頂部能看見(jiàn)硅片的透明窗口，很容易識(shí)別EPROM，這個(gè)窗口同時(shí)用來(lái)進(jìn)行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對(duì)準(zhǔn)陽(yáng)光直射一段時(shí)間就可以擦除。

      EPROM數(shù)據(jù)百科

      　　EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明，是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片——即非易失性的（非揮發(fā)性）。它是一組浮柵晶體管，被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強(qiáng)紫外線照射來(lái)擦除。通過(guò)封裝頂部能看見(jiàn)硅片的透明窗口，很容易識(shí)別EPROM，這個(gè)窗口同時(shí)用來(lái)進(jìn)行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對(duì)準(zhǔn)陽(yáng)光直射一段時(shí)間就可以擦除。

      　　工作原理

      　　EPROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)牛ǘ觩oly）結(jié)構(gòu)，主要結(jié)構(gòu)如圖一所示。

      　　浮柵中沒(méi)有電子注入時(shí)，在控制柵加電壓時(shí)，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。

      　　由于感應(yīng)，便會(huì)吸引電子，并開(kāi)啟溝道。

      　　如果浮柵中有電子的注入時(shí)，即加大的管子的閾值電壓，

      　　溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開(kāi)關(guān)功能。

      　　如圖二所示，這是EPROM的寫入過(guò)程，在漏極加高壓，電子從源極流向漏極溝道充分開(kāi)啟。在高壓的作用下，電子的拉力加強(qiáng)，能量使電子的溫度極度上升，變?yōu)闊犭娮樱╤ot electrON）。這種電子幾乎不受原子的振動(dòng)作用引起的散射，在受控制柵的施加的高壓時(shí)，熱電子使能躍過(guò)SiO2的勢(shì)壘，注入到浮柵中。

      　　在沒(méi)有別的外力的情況下，電子會(huì)很好的保持著。在需要消去電子時(shí)，利用紫外線進(jìn)行照射，給電子足夠的能量，逃逸出浮柵。

      　　EEPROM的寫入過(guò)程，是利用了隧道效應(yīng)，即能量小于能量勢(shì)壘的電子能夠穿越勢(shì)壘到達(dá)另一邊。

      　　量子力學(xué)認(rèn)為物理尺寸與電子自由程相當(dāng)時(shí)，電子將呈現(xiàn)波動(dòng)性，這里就是表明物體要足夠的小。

      　　就pn結(jié)來(lái)看，當(dāng)p和n的雜質(zhì)濃度達(dá)到一定水平時(shí)，并且空間電荷極少時(shí)，電子就會(huì)因隧道效應(yīng)向?qū)нw移。

      　　電子的能量處于某個(gè)級(jí)別允許級(jí)別的范圍稱為“帶”，較低的能帶稱為價(jià)帶，較高的能帶稱為導(dǎo)帶。

      　　電子到達(dá)較高的導(dǎo)帶時(shí)就可以在原子間自由的運(yùn)動(dòng)，這種運(yùn)動(dòng)就是電流。

      　　EEPROM寫入過(guò)程，如圖3所示，根據(jù)隧道效應(yīng)，包圍浮柵的SiO2，必須極薄以降低勢(shì)壘。

      　　源漏極接地，處于導(dǎo)通狀態(tài)。在控制柵上施加高于閾值電壓的高壓，以減少電場(chǎng)作用，吸引電子穿越。

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