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標(biāo)簽 > 負(fù)載電容
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。
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負(fù)載電容是晶體振蕩器電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。對(duì)晶振的頻率特性和穩(wěn)定性有直接影響。負(fù)載電容不是單個(gè)元件的電容,而是由晶振兩端外接的電容以及電路中的寄生電...
晶振是電子設(shè)備中用于產(chǎn)生穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)的關(guān)鍵元件,其短期穩(wěn)定度直接影響設(shè)備的精度和可靠性。短期穩(wěn)定度是指晶振在短時(shí)間內(nèi)(通常為幾秒到幾分鐘)頻率波動(dòng)的程度。
在上期的芝識(shí)課堂中,我們介紹了一部分CMOS邏輯IC設(shè)計(jì)的常見問題以及處理辦法。本期課堂將繼續(xù)探討如何優(yōu)化CMOS邏輯IC的性能,特別是負(fù)載電容連接技巧...
晶振,就像是一個(gè)需要伙伴才能跳舞的人,而這個(gè)伙伴就是負(fù)載電容。晶振有兩條線,這兩條線會(huì)連接到IC塊(一個(gè)集成電路塊)里面,那里有一些有效的電容。為了讓晶...
2024-11-27 標(biāo)簽:晶振負(fù)載電容揚(yáng)興科技 939 0
負(fù)載電容對(duì)電源轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過程的影響
理想的電源轉(zhuǎn)換器需要無論負(fù)載如何變化都保持輸出電壓穩(wěn)定。在實(shí)際應(yīng)用中,負(fù)載瞬態(tài)期間選擇不合適的輸出電容會(huì)導(dǎo)致過高的紋波電壓和浪涌電流,從而影響電源轉(zhuǎn)換器...
2024-10-28 標(biāo)簽:電容器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 312 0
三腳晶振與兩腳晶振是兩種不同的電子元件,它們?cè)诠δ堋⒔Y(jié)構(gòu)和應(yīng)用方面存在一定的差異。在某些情況下,三腳晶振可以替換兩腳晶振,但需要考慮許多因素,如頻率、負(fù)...
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED),屬于一種電流型的有機(jī)發(fā)光器件,是通過載流子的注入和復(fù)合而致發(fā)光的現(xiàn)...
2024-07-30 標(biāo)簽:OLED電路設(shè)計(jì)負(fù)載電容 790 0
串聯(lián)或并聯(lián)諧振晶體振蕩器設(shè)計(jì)和負(fù)載電容
對(duì)于從事數(shù)字設(shè)計(jì)的工程師來說,本說明和相關(guān)視頻應(yīng)重新熟悉晶體振蕩器時(shí)序理論和電路設(shè)計(jì)的一些實(shí)用方面。這些石英晶體設(shè)計(jì)理論很容易應(yīng)用于許多應(yīng)用。并聯(lián)還是串...
2024-06-25 標(biāo)簽:串聯(lián)晶體振蕩器并聯(lián)諧振 461 0
我們要明確負(fù)載電容的概念。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,它在電路中起到了關(guān)鍵的作用。然而,在討論有源晶振是否需要負(fù)載電...
SMD3215 32.768KHZ貼片晶振的產(chǎn)品規(guī)格及其特性
32.768KHZ是平時(shí)常見的低頻晶振,在電路應(yīng)用開發(fā)中常用在時(shí)鐘計(jì)算,在電子領(lǐng)域中有著多種應(yīng)用。
2024-04-09 標(biāo)簽:實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC負(fù)載電容 1973 0
當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),MCU IO檢測(cè)到0,但是當(dāng)時(shí)開關(guān)開啟時(shí),IO引腳處于floating狀態(tài),容易受干擾而處于未知狀態(tài)。 這時(shí)可以在IO口上加一個(gè)電阻...
數(shù)字設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性基礎(chǔ)知識(shí)
每當(dāng)沿著一條導(dǎo)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí),該導(dǎo)線周圍都會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)。如果兩根導(dǎo)線相鄰放置,兩個(gè)磁場(chǎng)可能會(huì)相互作用,導(dǎo)致信號(hào)之間的能量交叉耦合,稱為串?dāng)_。
2024-03-27 標(biāo)簽:pcb信號(hào)完整性數(shù)字信號(hào) 393 0
淺析MOS管發(fā)熱的五大關(guān)鍵技術(shù)
做電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免要用到場(chǎng)效應(yīng)管,也就是人們常說的MOS管。
石英晶體諧振器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動(dòng)功率和負(fù)性阻抗是石英晶體諧振器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵參數(shù),直接影響振蕩線路的性能和穩(wěn)定性。
這種現(xiàn)象是由于環(huán)路不穩(wěn)定,相位裕度不足導(dǎo)致的;我們可以按照TI文檔中的方法進(jìn)行相位裕度的仿真。TI的文檔如下,我們先仿真一下不并聯(lián)電容情況下的相位裕度。
2024-03-11 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器方波 1700 0
影響放大電路高頻特性的主要因素是很多的,包括晶體管的頻率響應(yīng)、反饋電容、電感、布線、負(fù)載電容等。這些因素都會(huì)對(duì)放大電路的高頻特性產(chǎn)生不同程度的影響。 首...
相對(duì)于指定頻率的負(fù)載電容值。同一晶體設(shè)置的負(fù)載電容不同測(cè)試的頻率也不一樣,在制作或使用時(shí)必須指定負(fù)載電容,單位通常用pF表示。
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