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薄膜沉積工藝技術介紹 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。從半導體芯...
電子科技領域中,半導體襯底作為基礎材料,承載著整個電路的運行。隨著技術的不斷發展,對半導體襯底材料的選擇和應用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導體襯...
碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些
碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰,那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術...
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術,本文綜述了碳化硅單晶切...
據了解,世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領域取得重要突破,成功開發出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術。
華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項發明主要涉及在襯底上構建外延疊層,并在此基礎上制備柵極、漏極和源極;同時,在器件有源區周圍形成屏蔽環層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在碳化硅產業鏈中,襯底是價值量最大的部分,在碳化硅器件成本構成中襯底甚至能夠占近50%,相比之下,硅基半導體器件的成本構成...
在這次考察中,考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮,這筆交易總預算高達十億元人民幣,其中包括兩年內生產 25 萬片六至...
自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術的研發和商品化。其創始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內外產業化經歷以及廣闊的國際...
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