絕緣柵雙極晶體管的實(shí)用指南

　這是絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無(wú)需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但...

2024-02-11 標(biāo)簽：IGBT晶體管絕緣柵 1188 0

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

IGBT是變頻器的核心部件，自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖...

2023-10-16 標(biāo)簽：MOS管IGBT晶體管 2165 0

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)介紹

文章主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識(shí)。

2023-05-18 標(biāo)簽：MOS管微處理器絕緣柵 3201 0

結(jié)型場(chǎng)/絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，有什么作用？

三極管是由基極注入電流的大小來(lái)直接影響集電極電流大小的一種器件，是一種電流控制電流型器件。還有一種半導(dǎo)體器件是利用輸入電壓來(lái)控制輸出電流的器件，叫做場(chǎng)效應(yīng)管。

2021-05-01 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵 1.3萬(wàn) 0

MOSFET結(jié)構(gòu)和符號(hào)及教程摘要

除了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）外，還有另一種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其柵極輸入與主載流通道電絕緣，因此被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。最常見(jiàn)的絕緣柵FET類型用...

2019-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管絕緣柵 1.6萬(wàn) 0

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)用檢測(cè)方法與技巧

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度、噪聲及抗干擾能力等方面較雙極型三極管均有著明顯的優(yōu)勢(shì)。

2019-02-06 標(biāo)簽：絕緣柵絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 3592 0

如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)

我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在...

2018-03-13 標(biāo)簽：萬(wàn)用表三級(jí)管絕緣柵 4806 0

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史

2023-11-24 標(biāo)簽：IGBT雙極晶體管功率半導(dǎo)體 999 0

IGBT是什么

IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的首字母縮寫(xiě)，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。通過(guò)結(jié)合MOSFET和雙極晶體管...

2022-03-30 標(biāo)簽：IGBT晶體管絕緣柵 5.0萬(wàn) 0

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，通常...

2019-06-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵 6818 0