什么是光刻技術

光刻技術簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術，CPU所謂30nm工藝或者22...

2023-04-25 標簽：cpu硅片光刻技術 3447 0

一種用于硅片超薄化的腐蝕技術

能源被認為是未來五十年人類面臨的頭號問題。據估計，太陽能在一小時內顯示出供給的潛力，其能量足以滿足世界一年的能源需求總量。光伏產業面臨的一個主要挑戰是以...

2022-06-30 標簽：太陽能蝕刻硅片 2572 0

Fe和Cu污染對硅襯底少數載流子壽命的影響分析

在所有金屬污染物中，鐵和銅被認為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優化的工藝工具和低質量的氣體和化學物質轉移到晶片上，而旦還會大大降低硅器件的產量。...

2021-12-15 標簽：半導體硅片有機半導體 2536 0

KOH硅濕法蝕刻工藝設計研究

在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300m...

2022-03-28 標簽：工藝蝕刻硅片 2438 0

一種除去晶片表面有機物的清洗方法

近年來，作為取代SPM（硫酸/過氧化氫）清洗的有機物去除法，通過添加臭氧的超純水進行的清洗受到關注，其有效性逐漸被發現。在該清洗法中，可以實現清洗工序的...

2022-04-13 標簽：工藝硅片清洗 2335 0

材料認識-硅拋光片和外延片

前言硅片按照產品工藝進行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經介紹SOI硅片，本期關注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋...

2024-06-12 標簽：材料硅片SOI 2247 0

使用ICP-MS/MS進行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實驗過程

高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產過程中的基本要求，其潔凈度直接影響產品的最終性能、效率以及穩定性。硅片是由硅棒上切割所得，其表面的多層晶格處于被破...

2024-01-11 標簽：集成電路半導體光伏 2124 0

半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

引言 硅(Si)在半導體器件制造中的大多數技術應用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備，其特點是高化學...

2022-01-13 標簽：太陽能半導體電子 2049 0

看低門限電壓是如何延長電池壽命的？

通道的導通電阻（rDS（on））是由通道的橫向和縱向電場控制的。通道電阻主要由柵源電壓差決定的。當VGS超過門限電壓（VGS（th）），FET開始導通。...

2018-07-15 標簽：電源電壓硅片 1943 0

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認為...

2021-12-20 標簽：半導體晶片硅片 1873 0

N型少子壽命為何超越P型的原因解析

N型硅片通常需要更高純度的硅料，這意味著它們含有的金屬雜質較少，這些金屬雜質可能會作為復合中心降低少子壽命。

2024-04-25 標簽：半導體硅片 1548 0

如何利用3D激光輪廓傳感器實現硅片位置度（搭邊）檢測

針對搭邊缺陷檢測，基于相機采集的深度圖像，導入VM 3D軟件中，依據mark點定位到每個料盤的四個角點，分別在角點料坑上下曲小區域計算均值，可取四對或八...

2023-09-28 標簽：傳感器光伏硅片 1521 0

一種拋光硅片表面顆粒和有機污染物的清洗方法

本文提出了一種拋光硅片表面顆粒和有機污染物的清洗方法，非離子型表面活性劑可以有效地去除表面上的顆粒，因為它可以顯著降低液體的表面張力和界面張力，非離子型...

2022-05-18 標簽：硅片清洗顆粒 1418 0

半導體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標簽：芯片制造硅片晶圓制造 1386 0

半導體級(電子級)硅的工藝流程圖

　硅是地殼中第二豐富的元素（氧是第一-） 。它天然存在于硅酸鹽（含Si-O）巖石和沙子中。半導體器件制造中使用的元素硅是由高純度石英和石英巖砂生產的，這...

2023-06-30 標簽：硅晶圓硅片半導體器件 1348 0