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相變存儲器

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相變存儲器，簡稱PCM，相變存儲器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時所表現(xiàn)出來的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的一種信息存儲裝置。

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相變存儲器器件單元測試系統(tǒng)

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相變存儲器簡介

　　相變存儲器材料具有存取速度快和可靠性高等優(yōu)點，有比其他存儲器更廣闊的應(yīng)用空間和更好的發(fā)展趨勢，有望替代目前被公眾熟知的傳統(tǒng)存儲技術(shù)。

　　相變存儲器適用于固線和無線通信設(shè)備、消費電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備：比如應(yīng)用在航天器領(lǐng)域中的嵌入系統(tǒng)中、用在智能電表中可以對其儲存構(gòu)架進行進一步整合等。另外，根據(jù)相變存儲器存在的一些不足，在提高存儲密度、降低成本和提高耐寫能力方面需要進一步的研究，才能更好的推動相變存儲器的應(yīng)用與發(fā)展。

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相變存儲器知識

DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術(shù)的區(qū)別

相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)

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NVM和PCM在 MCU關(guān)鍵特性的作用和影響

為了充分利用這些架構(gòu)，NVM 中的代碼必須足夠快以最小化等待狀態(tài)。NVM 中的數(shù)據(jù)也應(yīng)該快速以提高系統(tǒng)性能。

2022-06-02 標簽：相變存儲器 NOR閃存非易失性存儲器 4878 0

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相變存儲器技術(shù)

DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術(shù)的區(qū)別

相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。

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NVM和PCM在 MCU關(guān)鍵特性的作用和影響

為了充分利用這些架構(gòu)，NVM 中的代碼必須足夠快以最小化等待狀態(tài)。NVM 中的數(shù)據(jù)也應(yīng)該快速以提高系統(tǒng)性能。

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相變存儲器帖子

相變存儲器資料下載

在相變存儲器模型為multilevel將電阻漂移的影響（英）立即下載

類別：電子教材 2015-07-27 標簽：相變存儲器

相變存儲器(PCM)技術(shù)知識立即下載

類別：存儲器技術(shù) 2011-03-31 標簽：相變存儲器 PCM

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標的情況，會馬上發(fā)出警示。

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