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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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來源：電子工程專輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢和劣勢： 優(yōu)勢： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
到2030年，10類關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國際先進(jìn)水平，可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專業(yè)人才，我國制造業(yè)可靠性整體...
商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項實(shí)施出口管制
商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實(shí)施出口管制的公告
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場，而非消...
車規(guī)級氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢？
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1121 0
三菱電機(jī)開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機(jī)采用單個GaN功率放大器實(shí)現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運(yùn)行 將有助于實(shí)現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...
拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因?yàn)槭褂昧撕戏獾壭酒噪娐吩O(shè)計很簡潔，降低設(shè)計和加工成本，整套方案性價比不錯，且各輸入輸出電壓和各個負(fù)載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達(dá)93.6...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地...
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
智融科技是國內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動電源快充SOC芯片設(shè)計領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用
氮化鎵元件一個很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...
2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機(jī) 731 0
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)?..
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