氮化鎵器件和解決方案的進展與應用分析

觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業務部門總經理）的訪談，了解氮化...

2019-08-05 標簽：adi氮化鎵 3169 0

FLOSFIA公司開發出了一種廉價制造氧化鎵晶體的方法

FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術發展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結晶的方法獲得。密度...

2019-02-26 標簽：二極管半導體氮化鎵 8562 0

基于GaN的特性，越來越多的人看好其發展的后勢

而GaN技術可以做到，因為它是目前全球最快的功率開關器件，并且可以在高速開關的情況下仍保持高效率水平，能夠應用于更小的元件，應用于充電器時可以有效縮小產...

2019-01-24 標簽：充電器氮化鎵半導體器件 5429 0

在氮化鎵外延結構中首次實現了垂直溝道結型場效應晶體管

雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實調制了漏極電流（高達1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據模擬，夾斷發生在-112V左右。將其放在一位數范圍內需要縮小...

2018-12-13 標簽：晶圓晶體管氮化鎵 3635 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導體探測器

華南師范大學和北京大學在（100）硅上開發了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導體 - 金屬（MSM）探測器。

2018-12-07 標簽：半導體氮化鎵 3770 0

5G發展帶動硅基氮化鎵產業,硅基氮化鎵應用發展廣泛

與傳統的金屬氧化物（LDMOS）半導體相比，硅基氮化鎵的性能優勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數，從而降低整體...

2018-11-10 標簽：功率放大器氮化鎵5G 9163 0

基于GaN的開關器件驅動是關鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達14V，而不考慮VDD軌電壓。同時，在高側/低側的應用中，低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率也是至關重要...

2018-10-19 標簽：功率器件氮化鎵GaN 2.2萬 0

移動通信標準5G開發基于氮化鎵（GaN）的經濟高效的高性能技術

基站是蜂窩網絡的連接點。它們記錄無線電小區的傳輸數據并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內的數據泛濫，基站技術需要滿足兩個標準：輸出功率需要提高，同時保持...

2018-09-20 標簽：移動通信氮化鎵5G 5633 0

氮化鎵技術研究新進展，如何作為“電力電子應用中敏感探針”使用？

美國康奈爾大學，IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...

2018-09-09 標簽：晶體管電力電子氮化鎵 5562 0

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應用及優勢介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應用及優勢

2018-08-17 標簽：二極管氮化鎵碳化硅 6870 0

一文看懂氮化鎵和碳化硅在混合動力汽車中的作用

歐盟制定了一個雄心勃勃的目標，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實現該目標，汽車行業的貢獻將非常重要。美國企業平均燃油經濟性（CAF...

2018-03-25 標簽：混合動力汽車氮化鎵碳化硅 2.1萬 0

3.4GHz-3.8GHz寬帶基站功放解決方案詳細過程

中國首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產企業蘇州能訊高能半導體有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），發布適合5G移動通信的寬...

2018-05-08 標簽：功率放大器氮化鎵5g 9949 0

GaN功率電子分立器件產品類型的簡介以及其特點和優勢分析

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質...

2018-01-18 標簽：二極管mosfet分立器件 1.4萬 0

在氮化鎵技術中，熱設計與電氣設計同等重要

為管理今天的熱設計，電路設計人員讓熱量在半導體表面擴散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設計不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因為...

2018-01-04 標簽：氮化鎵電氣設計熱設計 5948 0

詳細剖析新型氮化鎵功率器件的技術特性

最近，麻省理工學院（MIT）、半導體公司IQE、哥倫比亞大學、IBM以及新加坡MIT研究與技術聯盟的科研人員展示出一項新型設計，讓氮化鎵功率器件處理的電...

2018-01-04 標簽：功率轉換晶體管氮化鎵 1.2萬 0

基于GaN固態放大器可實現的應用設計

以前，GaN還是反射頻電子戰(CREW)應用的首選技術； 現在，GaN已被部署到機載電子戰領域； 未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統。

2017-09-18 標簽：氮化鎵毫米波 7869 0

實現超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731

該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。

2017-08-30 標簽：放大器氮化鎵qpd2731 8287 0