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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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利用氮化鎵場效應晶體管和LM5113半橋驅動器實現的功率及效率
但如何能夠產生所要求的快速變化、帶寬處于數十兆赫茲(MHz)范圍的供電電壓?我們可以通過不同的方法來實現。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
在PC電源和充電器市場,從去年開始便流行起一個名為GaN(氮化鎵)的概念,并因這項技術的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么,GaN到底是一種怎樣的技術,...
2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發,目前已經開始滲透到手機和筆記本等電子設備的配件市場,并且市場容量增長迅速。據充電頭網了解,目前華為、小米、三星、OP...
碳化硅基氮化鎵功率放大器和mMIMO天線在部署5G服務中的應用
為了能夠滿足這些新應用程序所需必要的網絡吞吐量和可靠性,則需要運用新的技術。實現下一層級互聯互通的部分問題在于,在為同一區域內的一個量級或更多附加用戶設...
氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產品應用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國芯GaN產品上市,引起了大家的關注,PD產品更是多姿多彩;納微GaN產品和英諾賽科Ga...
東微半導體超級硅MOSFET系列產品,可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導體的GreenMOS系列產品是國內最早量產并進入工業級應用的高壓超級結產品系列,在國產品牌中占有領先地位,廣泛應用于充電樁模塊,通訊電源等大功率...
由于2 月13 日小米在新品發表會中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時間原本GaN 在射頻領域熱燒的話題,快...
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片,用于降低封裝的熱...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應用電路圖...
采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項
介紹 GaN功率集成電路提供超低電容,優良的開關特性,低RDS(ON),封裝在一個小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作,并支持高密度電源...
隨著技術的發展,終端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高,特別是隨著5G的即將到來,也進一步推動了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材...
GaN在成本控制方面顯示出了更強的潛力。目前主流的GaN技術廠商都在研發以Si為襯底的GaN的器件,來替代昂貴的SiC襯底。有分析預測,到2019年Ga...
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