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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵充電器有什么優(yōu)點?拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內部來看這個充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN)+碳化硅(SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。
IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造,采用破壞性拆解,不具備復原性和可維修性,電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器防水...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣?小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器整體防水性、導熱性。并且元器件沒有位移空間,起到提高耐候性,增強適配...
【全套國產芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設計進行溫升測試,在溫度約為25℃的恒溫箱內以 功率持續(xù)輸出1小時,測得該方案正面最高溫度約為108℃,最高溫度點出現(xiàn)在變...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產品, 可以讓客戶提高整機效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
通過100V增強型氮化鎵晶體管實現(xiàn)直直變換器設計方案
在當今的架構中,通過采用12V的背板,工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質因數(shù)特性的40V MOSFET 來滿足高開關頻率,傳輸高效率以及高功率密度。
拆解報告:SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C
SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產品,采用黑色的收納盒包裝,相比同類產品更為精致,也可以方便用戶后續(xù)收納使用。
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術之后,市場上出現(xiàn)了許多趨勢,這些市場朝著R DS(開啟),更好的開關品質因數(shù)(FOM)和更低的電容方...
接下來就直接開始拆解。 將頂面外殼拆開,PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。 將模塊取出,充電器采用接觸式通電設計,插腳和金屬彈片壓接。 使用游標...
為什么選擇氮化鎵?淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應用
對于服務器,這通常是空調房間中的AC到12 V DC,而對于傳統(tǒng)的低功能(例如,僅語音)電信系統(tǒng),這是遠程潮濕的“蜂窩塔”,需要AC進行“防腐蝕” ,負...
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來,開發(fā)了一種基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術,與傳統(tǒng)的2D?LED技術相比,這將降...
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