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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進一步擴展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測和新興的...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應力，從而產(chǎn)生二維電子氣（...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生...
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實...
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...
材質上比普通的快充更加的高級，氮化鎵是第三代半導體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢。
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
伴隨著5G通信時代的到來，數(shù)據(jù)的無線傳輸速率逐漸提高，同時也對射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無線通信系統(tǒng)的射頻前...
一個器件的成本效益，從生產(chǎn)基礎設施開始計算。宜普公司的工藝技術，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...
基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關頻率和死區(qū)時間的增加，基于硅的轉...
東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應用案例剖析
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅動+氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，...
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微...
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
進入90年代以后，第二代半導體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術迅速發(fā)展。隨后在本世紀初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...
達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。
從消費類、工業(yè)領域以及汽車領域介紹了氮化鎵器件的應用技術情況，重點介紹了氮化鎵當前的主要應用領域，消費類快充以及汽車領域的OBC。
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