探索GaN-on-Si技術(shù)難點(diǎn)

GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

2023-03-10 標(biāo)簽：led氮化鎵GaN 1410 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFETSiC氮化鎵 426 0

氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的...

2023-02-25 標(biāo)簽：氮化鎵GaNLEDs 1032 0

ST數(shù)字電源指南概述

數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于電源管理應(yīng)用的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復(fù)雜拓?fù)湟约霸O(shè)計(jì)靈活性等諸多優(yōu)勢。 關(guān)鍵特性與優(yōu)...

2023-02-22 標(biāo)簽：電源管理ST數(shù)字電源 890 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵，是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 3602 0

砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點(diǎn)分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 6988 0

氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點(diǎn)分析

　氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。

2023-02-20 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵砷化鎵 2.3萬 0

氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。

2023-02-20 標(biāo)簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.3萬 0

GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1770 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只...

2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 716 0

氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。

2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 2039 0

找到你的高壓電源設(shè)計(jì)最佳平衡點(diǎn)

當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個(gè) R 的強(qiáng)度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...

2023-02-17 標(biāo)簽：電源SiC氮化鎵 185 0

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵GaN 4346 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 2998 0

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的性能特征

　　GaN是一種無機(jī)物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石，具有高硬...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 2241 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6151 0