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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動(dòng)液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場(chǎng)！高耐壓且效率大于90%，PI是如何做到的
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品，再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品，PI都走在行業(yè)前列。近期，PI推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)...
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時(shí)，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對(duì)功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景中，進(jìn)一步...
在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
2024-12-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 266 0
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵（Gallium Nitride，簡(jiǎn)稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 822 0
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場(chǎng)上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...
德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場(chǎng)創(chuàng)新
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對(duì)于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲(chǔ)能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢(shì)，在于...
相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書V1.1立即下載
類別：IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵AC-DC
100V、35A GaN 半橋功率級(jí)LMG2100R044數(shù)據(jù)表立即下載
類別：電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器
杰華特推出四管升降壓控制器JW3702，專為PD快充應(yīng)用設(shè)計(jì)立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源鋰電池升壓轉(zhuǎn)換器
杰華特推出升降壓芯片JW3651：可用于USB PD移動(dòng)電源立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵
杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應(yīng)用立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源鋰電池升壓轉(zhuǎn)換器
杰華特聯(lián)合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案打造大功率高端立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵
英諾賽科香港上市，國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生
近日，國內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股正式誕生，...
2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心氮化鎵 94 0
能源為我們的生活提供動(dòng)力，而生成能源以及儲(chǔ)存能源的技術(shù)，對(duì)于可持續(xù)發(fā)展更是具有不可估量的價(jià)值。一方面通過更有效地利用、存儲(chǔ)和分配能源，能源被高效利用從而...
CGD：氮化鎵技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高效率的“版本答案”
又到了歲末年初之際，回顧過去的2024年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有增長也有陣痛，復(fù)盤2024年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，有哪些長足的進(jìn)展又有哪些短板？展望2025年，半導(dǎo)體...
2024-12-25 標(biāo)簽：氮化鎵 301 0
產(chǎn)品應(yīng)用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強(qiáng)性能快充
前言近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強(qiáng)性能氮化鎵充電器A2655，產(chǎn)品由蘋果獨(dú)家提供，現(xiàn)已上架蘋果商城。產(chǎn)品配備多達(dá)四口USB-C快...
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ唬履茉雌?..
羅姆、臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
12 月 12 日消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴...
羅姆與臺(tái)積公司攜手合作開發(fā)車載氮化鎵功率器件
近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)與Taiwan Semiconductor Manufacturing Com...
2024-12-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件氮化鎵 388 0
Power Integrations榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日，由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)”在深圳隆重舉行。此次評(píng)選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成就的企業(yè)，嚴(yán)格的...
羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) ...
2024-12-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心AI氮化鎵 373 0
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