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氮化硅

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氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機械和電性能。

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氮化硅技術(shù)

異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因為鈣礦電池與異質(zhì)結(jié)電池進行疊層，異質(zhì)結(jié)電池表面本身就是 TCO，異質(zhì)結(jié)電池的產(chǎn)線無需做更改。

2024-03-27 標簽：電池氮化硅 1830 0

光子集成芯片需要的材料有哪些

光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應用領(lǐng)域，適用于不同的光子器件和集成芯片設(shè)計。

2024-03-18 標簽：半導體材料集成芯片氮化硅 1553 0

LPCVD技術(shù)助力低應力氮化硅膜制備

LPCVD是低壓化學氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，...

2024-01-22 標簽：流量傳感器 mems 壓力傳感器 2013 0

MEMS工藝設(shè)計中如何實現(xiàn)應力匹配？

相較于本征應力，熱應力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動器...

2024-01-02 標簽：mems 熱應力氮化硅 1320 0

靶材的種類及制備工藝靶材在半導體領(lǐng)域的應用

選擇合適的靶材在半導體工藝中十分重要。

2023-12-28 標簽：半導體場效應晶體管 GaAs 1561 0

基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

研究還表明，重復率的穩(wěn)定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...

2023-12-27 標簽：激光器諧振器 OFC 823 0

氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位？

在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。

2023-12-20 標簽：晶體管芯片制造氮化硅 2748 0

硅基集成光量子芯片技術(shù)解析

介紹了光量子芯片在未來實現(xiàn)可實用化大規(guī)模光量子計算與信息處理應用方面展示出巨大潛力，并對硅基集成光量子芯片技術(shù)進行介紹。

2023-11-30 標簽：半導體芯片技術(shù)光量子 2146 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見的一種氣體，在CVD中通常用來提供硅的來源，用途很廣泛，我們來詳細了解一下。

2023-11-24 標簽：CVD 氮化硅 2361 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標簽：多晶硅 MOSFET 單晶硅 1316 0

氮化硅帖子

氮化硅資料下載

晶體硅太陽能電池減反射膜及其影響因素立即下載

類別：電子資料 2023-11-02 標簽：太陽能電池發(fā)電晶體硅 330 0

氮化硅陶瓷球材料性能參數(shù)測試立即下載

類別：測試測量論文 2018-03-20 標簽：氮化硅 1084 0

氮化硅資訊

英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品駕駛艙快充首選

近年來，隨著第三代半導體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應用，大功率充電器也日益小型化。大眾對電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮，使得出行時的充電需求變得十...

2024-12-05 標簽：快充英諾賽科車載快充 483 0

氮化硅薄膜的特性及制備方法

氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對...

2024-11-29 標簽：薄膜 PECVD 氮化硅 413 0

氮化硅薄膜制備方法及用途

一、氮化硅薄膜制備方法及用途氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對可移動離子較強...

2024-11-24 標簽：薄膜氮化硅 466 0

鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務突破：千萬元級訂單助力產(chǎn)能擴張

近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司（簡稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學機械拋光）拋光液領(lǐng)域的重大進展，標志著公司在半導體材料供應鏈中...

2024-07-10 標簽：半導體 CMP 氮化硅 792 0

Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導體工藝解決方案案例

上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...

2024-03-27 標簽：半導體 NAND 存儲器 984 0

京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。

2023-12-15 標簽：FTIR 氮化硅 602 0

國科光芯實現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長）級別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)

據(jù)麥姆斯咨詢報道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內(nèi)首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺，實現(xiàn)了傳...

2023-11-17 標簽：芯片硅光芯片氮化硅 1839 0

國科光芯：專注氮化硅硅光技術(shù)，探索硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展新路徑

第三，我們確實在今年上半年全面升級了發(fā)展戰(zhàn)略、使命及愿景。正如剛剛在介紹國科光芯的發(fā)展里程碑話題里提到的，基于激光雷達這幾年的深度研究，以及參考國際上硅...

2023-09-01 標簽：激光雷達硅光子氮化硅 2151 0

介質(zhì)超構(gòu)表面的CMOS兼容制備工藝的進展

超構(gòu)表面為納米光子器件賦予了更高的自由度與靈活度，使實用的微納米光子器件的實現(xiàn)成為可能。

2023-07-27 標簽：帶通濾波器光刻機 CMOS技術(shù) 1587 0

一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠程辦公和在線課程，對數(shù)據(jù)中心和云服務器的需求隨之增長

2023-07-24 標簽：存儲器 NAND閃存 slc 1284 0

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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達到1，181，489百萬日元，集團公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計183家，員工61，468名。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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