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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)
什么是柵極驅(qū)動(dòng),說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動(dòng),柵極用PWM方波驅(qū)動(dòng),但是會(huì)形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會(huì)形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
2025-01-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN功率控制器 133 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2210 0
柵極驅(qū)動(dòng)IC虛焊是否會(huì)導(dǎo)致燒毀,這個(gè)問題涉及到多個(gè)因素,包括虛焊的嚴(yán)重程度、工作環(huán)境條件以及柵極驅(qū)動(dòng)IC本身的特性等。以下是對(duì)這一問題的分析: 一、虛焊...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電流場(chǎng)效應(yīng)晶體管 627 0
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型時(shí)考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動(dòng)芯片能夠顯著降低整個(gè)系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的電子設(shè)...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電子設(shè)備柵極驅(qū)動(dòng) 514 0
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 1202 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...
2024-02-29 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 970 0
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
推薦電容值必須根據(jù)使用的器件和應(yīng)用條件來選擇。如果電容過小,自舉電容在上管開通時(shí)下降紋波過大,降低電容的使用壽命,開關(guān)管損耗變高,開關(guān)可靠性也變低;如果...
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1213 0
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng) 781 0
直流電源轉(zhuǎn)換芯片LM5176設(shè)計(jì)參考點(diǎn)
CS:電流檢測(cè)放大器輸入的正極 17.PGOOD:power-good開漏輸出引腳,當(dāng)FB引腳電壓值超出參考電壓一定范圍時(shí),此引腳拉低。
IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案
由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時(shí)有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路可以對(duì)超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片
柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 5173 0
如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì),這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動(dòng)汽車行駛里程)和 SiC過沖(影響可靠性)。
2023-07-04 標(biāo)簽:SiC柵極驅(qū)動(dòng)牽引逆變器 747 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
2023-06-25 標(biāo)簽:MOSFET電阻器柵極驅(qū)動(dòng) 828 0
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 2822 0
集成Cortex-M0內(nèi)核的車規(guī)級(jí)MCU概述
LCA037BT(K)32EU8 是集成 Cortex-M0 內(nèi)核的車規(guī)級(jí) MCU,面向電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域,集成了三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)模塊
2023-03-03 標(biāo)簽:mcuCortex-M0柵極驅(qū)動(dòng) 965 0
mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
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