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安建半導(dǎo)體

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寧波安建半導(dǎo)體有限公司成立于2021年07月27日，法定代表人為單建安。經(jīng)營范圍包括一般項目：半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；貨物進出口；進出口代理；技術(shù)進出口。

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安建半導(dǎo)體資訊

安建半導(dǎo)體持續(xù)擴充中高壓MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導(dǎo)體 (JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺，同年已將中高壓平臺擴充至120V 及200V，平臺沿用先進的技術(shù)...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器安建半導(dǎo)體 367 0

安建半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2024，展示功率半導(dǎo)體創(chuàng)新實力

近日，安建半導(dǎo)體作為在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽的高技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)，成功登陸歐洲最高質(zhì)量的電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會——PCIM Europe，在德國紐倫...

2024-06-14 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體安建半導(dǎo)體 836 0

安建半導(dǎo)體在ISPSD2024再展技術(shù)鋒芒

在近日結(jié)束的ISPSD2024征稿評比中，安建半導(dǎo)體憑借其在碳化硅領(lǐng)域的卓越技術(shù)實力，成功脫穎而出，榮獲口頭報告機會。此次評比中，口頭報告的錄取率僅為1...

2024-06-12 標(biāo)簽：集成電路功率半導(dǎo)體安建半導(dǎo)體 663 0

安建半導(dǎo)體獲超2億元C1輪融資

安建半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計和銷售的公司，主要產(chǎn)品包括高性能溝槽柵場截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場效應(yīng)晶體管、高壓場效應(yīng)晶...

2024-04-18 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管功率器件安建半導(dǎo)體 588 0

安建半導(dǎo)體獲得超過2億元人民幣的C1輪融資

安建半導(dǎo)體C1輪融資圓滿收官，公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。

2024-04-08 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體 GaN技術(shù) 555 0

安建半導(dǎo)體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進的技術(shù)和設(shè)計，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實現(xiàn)了高...

2024-01-23 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器安建半導(dǎo)體 915 0

安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片...

2024-01-20 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1583 0

快訊：孟晚舟歸國后首次公開亮相安建半導(dǎo)體獲1.8億元B輪融資

快訊：孟晚舟歸國后首次公開亮相安建半導(dǎo)體獲1.8億元B輪融資孟晚舟歸國后首次公開亮相 3月28日下午華為將舉行2021年度經(jīng)營財報發(fā)布會；在發(fā)布會上...

2022-03-25 標(biāo)簽：華為孟晚舟 AURORA 1.4萬 0

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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會訂立、主要針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時與多個設(shè)備通信，而不是依次進行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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電路過電流過電壓保護是為防止主回路短路或直流牽引電動機發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機、主整流柜等電氣設(shè)備，機車在牽引、電阻制動或自負(fù)載工況下，對主電路的過電流和過電壓均進行保護。
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時，經(jīng)過零位時，系統(tǒng)作出的檢測。可作開關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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