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失效機(jī)理

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失效機(jī)理技術(shù)

廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析

失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效，分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...

2024-09-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 失效機(jī)理 962 0

一文看元器件失效機(jī)理

由于P-N結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大，所以用P-N為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件（TTL、HTL等集成電路）的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密...

2023-10-13 標(biāo)簽：元器件失效機(jī)理 p-n結(jié) 1431 0

元器件失效主要受哪些因素影響

2023-10-13 標(biāo)簽：集成電路元器件熱敏電阻 472 0

電容器的常見(jiàn)失效模式和失效機(jī)理

電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等)，部分功能失效

2023-08-23 標(biāo)簽：電容器失效機(jī)理鋁電解電容器 2131 0

常見(jiàn)的電子元器件失效機(jī)理與分析

電阻線或電阻膜在制備過(guò)程中都會(huì)承受機(jī)械應(yīng)力，使其內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，線徑愈小或膜層愈薄，應(yīng)力影響愈顯著。一般可采用熱處理方法消除內(nèi)應(yīng)力，殘余內(nèi)應(yīng)力則可能在...

2023-05-08 標(biāo)簽：電阻電子元器件失效機(jī)理 1361 0

壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理

失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。

2023-04-20 標(biāo)簽：封裝 IGBT 焊接 2580 0

MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。

2023-04-15 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器 MOSFET 2032 0

IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問(wèn)題？

功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下，會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更...

2023-03-20 標(biāo)簽：封裝 IGBT 失效機(jī)理 1497 0

MOSFET的失效機(jī)理

MOSFET等開關(guān)器件可能會(huì)受各種因素影響而失效。因此，不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介...

2023-03-20 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 失效機(jī)理 1246 0

MOSFET的失效機(jī)理：什么是dV/dt失效

MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管失效機(jī)理 1396 0

失效機(jī)理帖子

關(guān)于封裝的失效機(jī)理你知道多少？

標(biāo)簽：封裝失效機(jī)理 12836 1

698

IC失效分析培訓(xùn).ppt

標(biāo)簽：失效機(jī)理 91475 698

電容器的常見(jiàn)失效模式和失效機(jī)理【下】

標(biāo)簽：電容器失效機(jī)理失效模式 4486 0

電容器的常見(jiàn)失效模式和失效機(jī)理【中】

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電容器的常見(jiàn)失效模式和失效機(jī)理【上】

標(biāo)簽：電容器失效機(jī)理失效模式 3888 0

失效機(jī)理資料下載

引發(fā)TVS短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素和失效機(jī)理立即下載

類別：工控技術(shù) 2023-03-16 標(biāo)簽：TVS 短路失效機(jī)理 542 0

IGBT失效及壽命預(yù)測(cè)立即下載

類別：電子資料 2023-02-24 標(biāo)簽：IGBT 失效機(jī)理 332 0

失效機(jī)理資訊

MLCC電容燒損失效機(jī)理分析及改善建議

馬達(dá)產(chǎn)品在客戶端運(yùn)行一段時(shí)間后，發(fā)生功能失效。經(jīng)過(guò)初步檢測(cè)，新陽(yáng)檢測(cè)中心（下文簡(jiǎn)稱中心）判斷該問(wèn)題是組件中的MLCC電容發(fā)生失效導(dǎo)致的。

2022-06-10 標(biāo)簽：電容 MLCC 失效機(jī)理 2786 0

元器件的失效機(jī)理有哪些

元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機(jī)械等因素的影響。 1、溫度導(dǎo)致失效： 1.1 環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。溫度變化對(duì)半導(dǎo)體器件的影響：構(gòu)成雙...

2020-11-03 標(biāo)簽：元器件失效機(jī)理 731 0

MEMS慣性器件在典型應(yīng)用環(huán)境下的主要失效模式和失效機(jī)理進(jìn)行分析和總結(jié)

Yang Chunhua和Liu Qin等人通過(guò)對(duì)MEMS加速度計(jì)的沖擊試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)懸臂梁、梳齒的受力集中點(diǎn)均在根部，即連接點(diǎn)處。當(dāng)沖擊應(yīng)力引起的懸臂梁變...

2020-07-31 標(biāo)簽：mems 失效機(jī)理慣性器件 3788 0

芯片缺陷失效分析的主要目的

圖2是器件來(lái)源的匯總數(shù)據(jù)。從圖中可以看到，總數(shù) 56批中，進(jìn)口器件是 19批次，約占總批次的 34% ; 失效樣品有 41只，約占總樣品數(shù)的28. 5%...

2020-06-24 標(biāo)簽：芯片 ESD 失效機(jī)理 9497 0

集成電路有哪些可靠性問(wèn)題集成電路物理失效機(jī)理原因分析

2018-09-03 標(biāo)簽：集成電路失效機(jī)理 1.3萬(wàn) 0

從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理

從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理　1、? 引言　　半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之

2010-02-22 標(biāo)簽：IGBT 失效機(jī)理 3143 0

失效機(jī)理數(shù)據(jù)手冊(cè)

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Verilog HDL是一種硬件描述語(yǔ)言（HDL:Hardware Description Language），以文本形式來(lái)描述數(shù)字系統(tǒng)硬件的結(jié)構(gòu)和行為的語(yǔ)言，用它可以表示邏輯電路圖、邏輯表達(dá)式，還可以表示數(shù)字邏輯系統(tǒng)所完成的邏輯功能。
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在 Maxim Integrated，我們正在解決工程問(wèn)題并支持設(shè)計(jì)創(chuàng)新，使我們的客戶能夠創(chuàng)造出塑造我們世界的產(chǎn)品。我們創(chuàng)新的高性能模擬和混合信號(hào)產(chǎn)品和技術(shù)使系統(tǒng)更小、更智能，同時(shí)增強(qiáng)了安全性并提高了能源效率。
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USB 3.1 Gen2是最新的USB規(guī)范，該規(guī)范由英特爾等公司發(fā)起。數(shù)據(jù)傳輸速度提升可至速度10Gbps。與USB 3.0（即USB3.1 Gen1）技術(shù)相比，新USB技術(shù)使用一個(gè)更高效的數(shù)據(jù)編碼系統(tǒng)，并提供一倍以上的有效數(shù)據(jù)吞吐率。
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匯頂科技成立于2002年，作為人機(jī)交互領(lǐng)域可靠的技術(shù)與解決方案提供商，在包括手機(jī)、平板和可穿戴產(chǎn)品在內(nèi)的智能移動(dòng)終端人機(jī)交互技術(shù)領(lǐng)域不斷取得新進(jìn)展，陸續(xù)推出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Goodix Link技術(shù) 、指紋識(shí)別與觸控一體化的IFS技術(shù) 、活體指紋檢測(cè)技術(shù)等。
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直流放大器就是能放大直流信號(hào)的放大器。直流放大器常用于測(cè)量?jī)x表。在高精度電位測(cè)量和生物電與物理電測(cè)量中，電信號(hào)往往很弱，而且變化緩慢，含有直流成分，經(jīng)放大后才便于檢測(cè)、記錄和處理。此外，在許多情況下，被測(cè)信號(hào)源的內(nèi)阻高，要求放大器具有高增益和高輸入阻抗。具有這種特性的直流放大器也適合用作運(yùn)算放大器。

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