mosfet里vgs和vds的關(guān)系

在MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）中，Vgs（柵極-源極電壓）和Vds（漏極-源極電壓）之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...

2024-09-29 標(biāo)簽：MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6003 0

vdmos器件厚度對(duì)電阻的影響

VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...

2024-09-29 標(biāo)簽：電阻VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 411 0

vdmos器件的具體應(yīng)用

VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...

2024-09-29 標(biāo)簽：電路電流VDMOS器件 591 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類(lèi)型：JFET（結(jié)型）和MOS-FET（金屬-氧...

2024-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 382 0

如何選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）時(shí)，需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求，同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南...

2024-09-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 641 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel Field-...

2024-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體JFET晶體管 558 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和特性

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

2024-10-07 標(biāo)簽：JFET柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1020 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的定義和引腳配置

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件。它的核心特點(diǎn)在...

2024-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1089 0

mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)...

2024-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2904 0

mos管gs之間電阻阻值怎么選

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...

2024-09-18 標(biāo)簽：電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2210 0

mos管漏極電壓增大,為什么溝道變窄

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它利用電場(chǎng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。在MOSFET中，漏極電壓（Vd）是指漏極和源極之間...

2024-09-18 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極電壓 1566 0

柵極驅(qū)動(dòng)芯片怎么提高電流

柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種： 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 ：通過(guò)增加MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率管的數(shù)量...

2024-09-18 標(biāo)簽：芯片電流場(chǎng)效應(yīng)晶體管 627 0

鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理

鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù)，其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對(duì)半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1562 0

pmos開(kāi)關(guān)電路連接方式有哪些

在探討PMOS開(kāi)關(guān)電路的連接方式時(shí)，我們需要考慮不同的應(yīng)用場(chǎng)景和具體需求。 一、PMOS開(kāi)關(guān)電路的基本原理 PMOS（P-channel Metal O...

2024-10-06 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電 2091 0

mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是電子工...

2024-10-06 標(biāo)簽：MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2667 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)場(chǎng)效應(yīng)管和集成運(yùn)放

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET），又稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電壓控制型半導(dǎo)體器...

2024-08-15 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成運(yùn)放 714 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)B...

2024-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2158 0

MOSFET上橋故障原因及解決辦法

MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）上橋故障是電子電路中常見(jiàn)的問(wèn)題之一，通常指的是在電機(jī)控制系統(tǒng)中，由于上橋臂的MOSFET出現(xiàn)問(wèn)題，導(dǎo)致電機(jī)...

2024-08-12 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7萬(wàn) 0

MOSFET超過(guò)耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法

在電子電路設(shè)計(jì)中，MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率器件，具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而，如果MOSFE...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1071 0