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標(biāo)簽 > 功率分立器件
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產(chǎn)品資訊 全新40V STripFET F8 MOSFET,性能先進(jìn)且EMI極低 具有出色的本體二極管恢復(fù)軟度,可確保您的高性能解決方案符合相關(guān)要求。 ...
長(zhǎng)電科技功率器件封裝工藝及設(shè)計(jì)解決方案完備可靠
日前,長(zhǎng)電科技舉辦了2023年第二期線上技術(shù)論壇,主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用,與業(yè)界交流長(zhǎng)電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)與創(chuàng)新。 功率半導(dǎo)體器件目前廣泛應(yīng)用...
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備品牌各有所長(zhǎng)!
華峰測(cè)控和長(zhǎng)川科技各有所長(zhǎng)。華峰測(cè)控在功率測(cè)試上的產(chǎn)品有兩款:STS 8202是 國(guó)內(nèi)率先投入量產(chǎn)的32工位全浮動(dòng)的MOSFET晶圓測(cè)試系統(tǒng);STS 8...
2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體功率分立器件 5307 0
華虹NEC掌握了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的深溝槽型大功率MOS器件工藝和超級(jí)結(jié)高壓大功率MOSFET器件工藝,正在進(jìn)行IGBT技術(shù)攻關(guān),已取得顯著進(jìn)展,以助力早...
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