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標(biāo)簽 > 分立器件
分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信,汽車電子、led顯示屏等領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有兩大分支:集成電路和分立器件。
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一文詳解半導(dǎo)體分立器件技術(shù)知識(shí)
半導(dǎo)體是一種物質(zhì),其特性介于“導(dǎo)體”,傳導(dǎo)像金屬一樣的電和“絕緣體”電力幾乎不流通。電流流動(dòng)的容易程度與震級(jí)有關(guān)。 這種物質(zhì)的電阻。如果電阻高,電流幾...
功率IC和分立器件都是電子元器件,但是它們之間有很多不同之處。我們來具體地看看它們的各個(gè)方面,以便更好地了解它們之間的差異。 1. 工作原理
按照器件的導(dǎo)通類型分類:功率半導(dǎo)體分立器件可以分為開關(guān)型和線性型兩類。開關(guān)型器件通常用于電源開關(guān)、電機(jī)控制等領(lǐng)域,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換;線性型器件則適...
2023-02-24 標(biāo)簽:電流分立器件功率半導(dǎo)體 1010 0
功率半導(dǎo)體大致可分為功率半導(dǎo)體分立器件(Power Discrete,包括功率模塊)和功率半導(dǎo)體集成電路(Power IC)兩大類,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的結(jié)構(gòu)...
2023-02-24 標(biāo)簽:集成電路分立器件功率半導(dǎo)體 6200 0
功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括:在硅圓片上加工芯片(主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕),進(jìn)行芯片封裝,對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試,其中主要...
2023-02-24 標(biāo)簽:芯片分立器件功率半導(dǎo)體 4846 0
分立器件是指獨(dú)立的電子元件,通常由一個(gè)或多個(gè)電子器件組成。這些器件可以單獨(dú)使用,也可以與其他器件組合使用,以完成特定的電路功能。常見的分立器件包括二極管...
碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化...
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南
動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測(cè)試系統(tǒng)分立器件 543 0
隨著小信號(hào)器件概念的出現(xiàn),半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號(hào)器件及功率器件兩大類:世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)也將小信號(hào)器件定義為耗...
對(duì)于SiC FET,Cgdext的計(jì)算值為68pF,而且在進(jìn)行模擬時(shí),電路中包含一個(gè)20nH的串聯(lián)寄生電感(Lpar)。在使用分立器件而且Cgd電容器的...
2021-04-14 標(biāo)簽:電容器開關(guān)電路分立器件 3675 0
在國外能碰到許多二三十年工作經(jīng)驗(yàn)的工程師,幫助他們溝通的工具不是PPT,不是仿真結(jié)果,不是測(cè)試結(jié)果,而是一張紙和一支筆。 很佩服他們可以用一張紙一支筆給...
集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝,把構(gòu)成具有一定功能的電路所需...
新一代SiC MOSFET設(shè)計(jì)功率變換器在雪崩狀態(tài)的魯棒性評(píng)估
本文探討了在SiC MOSFET應(yīng)用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件。
對(duì)約 50例微波器件失效分析結(jié)果進(jìn)行了匯總和分析 ,闡述了微波器件在使用中失效的主要原因、分類及其分布。匯總情況表明 ,由于器件本身質(zhì)量和可靠性導(dǎo)致的失...
目前,國內(nèi)外碳化硅功率電子分立器件商業(yè)化產(chǎn)品主要有功率二極管和SiC MOSFET。SiC功率二極管分為肖特基二極管(SBD)、PIN二極管和結(jié)勢(shì)壘控制...
看看今天的物聯(lián)網(wǎng)和智能設(shè)備領(lǐng)域,你可能會(huì)覺得現(xiàn)在是成為芯片工程師最好的年代。設(shè)備越來越小,將越來越多功能集成到更小的尺寸中。從手機(jī)到可穿戴設(shè)備,再到家居...
分立器件等效模型 電阻阻抗絕對(duì)值與頻率的關(guān)系
下圖描繪了電阻的阻抗絕對(duì)值與頻率的關(guān)系,正像看到的那樣,并超過一定值 時(shí),寄生電容的影響成為主要的,它引起電阻阻抗的下降。當(dāng)頻率繼續(xù)升高時(shí),由于引線電感...
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