GaN和SiC的區(qū)別

　　GaN器件開關(guān)頻率更高。

　　SiC 相比 GaN，擁有更高的熱導率，并承受更高 的電壓。

　　GaN發(fā)展歷程

　　藍光LED

　　20世紀八九十年代

　　1986年，赤崎勇和天 野浩采用MOCVD法獲 得了高質(zhì)量GaN薄膜， 并于1989年在全球首 次研制出了PN結(jié)藍光 LED ；

　　1992年，中村修二以 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)代替PN結(jié)， 研制出高效率GaN藍光 LED。

　　射頻

　　1998-2008

　　1998年，Cree開發(fā)首個碳化硅基GaN高電子遷移率晶體管HEMT；

　　2008年，Cree推出首個氮化鎵射頻器件；

　　功率

　　2009-2018

　　2009年，EPC公司推出第一款商用增強型氮化鎵（eGaN）晶體管。

　　2010年，國際整流器公司發(fā)布了全球第一個商用GaN功率器件，正式拉開GaN在功率器件領(lǐng)域的商業(yè)化大幕。

　　2014年，是硅基氮化鎵真正從工藝到量產(chǎn)的時間節(jié)點，而2014-2018年，是整個產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善的時間段。

　　市場爆發(fā)

　　2018至今

　　氮化鎵功率芯片的生態(tài)和制造工藝完 善，開始大規(guī)模導 入市場，目前在手 機快充中被廣泛應 用。

　　5G基站、手機快充 等需求帶動GaN市 場步入高速增長階段