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電子發(fā)燒友網(wǎng)>研究院>報告>第三代半導體GaN產(chǎn)業(yè)鏈研究

第三代半導體GaN產(chǎn)業(yè)鏈研究

2023-10-18 | pdf | 2.53 MB | 0次瀏覽 | 免費

資料介紹

  GaN和SiC的區(qū)別

  GaN器件開關(guān)頻率更高。

  SiC 相比 GaN,擁有更高的熱導率,并承受更高 的電壓。

  GaN在照明和顯示領(lǐng)域有廣泛應用。

  GaN發(fā)展歷程

  藍光LED

  20世紀八九十年代

  1986年,赤崎勇和天 野浩采用MOCVD法獲 得了高質(zhì)量GaN薄膜, 并于1989年在全球首 次研制出了PN結(jié)藍光 LED ;

  1992年,中村修二以 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)代替PN結(jié), 研制出高效率GaN藍光 LED。

  射頻

  1998-2008

  1998年,Cree開發(fā)首個碳化硅基GaN高電子遷移率晶體管HEMT;

  2008年,Cree推出首個氮化鎵射頻器件;

  功率

  2009-2018

  2009年,EPC公司推出第一款商用增強型氮化鎵(eGaN)晶體管。

  2010年,國際整流器公司發(fā)布了全球第一個商用GaN功率器件,正式拉開GaN在功率器件領(lǐng)域的商業(yè)化大幕。

  2014年,是硅基氮化鎵真正從工藝到量產(chǎn)的時間節(jié)點,而2014-2018年,是整個產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善的時間段。

  市場爆發(fā)

  2018至今

  氮化鎵功率芯片的生態(tài)和制造工藝完 善,開始大規(guī)模導 入市場,目前在手 機快充中被廣泛應 用。

  5G基站、手機快充 等需求帶動GaN市 場步入高速增長階段

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