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討論了一種半導體激光溫度控制電路的設計方案，能夠實時監視和控制激光器溫度，
以穩定激光器的輸出功率和波長。控制核心采用PIC16C73單片機來實現對整個系統的精確控制。熱電致冷器驅動電路采用高集成、高性價比和高效率開關型驅動芯片MAX1968來實現。與傳統的分立元件設計方法相比，簡化了80%的電路設計。實驗結果表明，激光器的溫度控制精度達到±0.1℃。
關鍵詞：MAX1968; 單片機; 熱電致冷器; 半導體激光器; 溫度控制器;
由于體積小、功耗低、壽命長和易于調制，半導體激光器( Laser Diode)作為一種新型
激光光源已廣泛應用于通訊、醫療和測量等各個領域 [1]。LD 易于調制的特點在于LD 的輸出波長易受溫度和注入電流的影響。普通LD 的電流調制系數約為0.025nm/mA,；溫度調制系數約為0.3～0.4nm/℃[2]。在對波長穩定性要求較高的場合，諸如干涉測量和光譜吸收氣體檢測待高精度測量應用中，必須對LD 溫度進行精確控制。本文提供的設計方案能為半導體激光器的溫度控制提供有效支持。
以穩定激光器的輸出功率和波長。控制核心采用PIC16C73單片機來實現對整個系統的精確控制。熱電致冷器驅動電路采用高集成、高性價比和高效率開關型驅動芯片MAX1968來實現。與傳統的分立元件設計方法相比，簡化了80%的電路設計。實驗結果表明，激光器的溫度控制精度達到±0.1℃。
關鍵詞：MAX1968; 單片機; 熱電致冷器; 半導體激光器; 溫度控制器;
由于體積小、功耗低、壽命長和易于調制，半導體激光器( Laser Diode)作為一種新型
激光光源已廣泛應用于通訊、醫療和測量等各個領域 [1]。LD 易于調制的特點在于LD 的輸出波長易受溫度和注入電流的影響。普通LD 的電流調制系數約為0.025nm/mA,；溫度調制系數約為0.3～0.4nm/℃[2]。在對波長穩定性要求較高的場合，諸如干涉測量和光譜吸收氣體檢測待高精度測量應用中，必須對LD 溫度進行精確控制。本文提供的設計方案能為半導體激光器的溫度控制提供有效支持。
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