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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體集成電路的三個(gè)經(jīng)典問題資料說明包括了：1.名詞解釋：隱埋層，寄生晶體管，介質(zhì)隔離，PN結(jié)隔離。2.簡單敘述一下PN結(jié)隔離的npn晶體管的光刻步驟？3.四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極性晶體管中隱埋層的作用是什么？
隱埋層： 是隱埋在硅片體內(nèi)的高摻雜低電阻區(qū)
寄生晶體管： 指有寄生電容的晶體管，寄生電容是通常無可避免卻又不被需要，僅因?yàn)殡娐吩嗷ソ咏a(chǎn)生的電容。
介質(zhì)隔離： 雙極型集成電路中的介質(zhì)隔離常采用氧化物隔離方法，即在形成三極管區(qū)域的四周構(gòu)筑一隔離環(huán)，該隔離環(huán)為二氧化硅絕緣體，因而集成電路中的各個(gè)三極管之間，以及各三極管與其他元件之間是完全電隔離的。
PN結(jié)隔離：兩個(gè)晶體管分別在兩個(gè)隔離區(qū)內(nèi)，他們的集電區(qū)是n型外延層，兩個(gè)晶體管的集電區(qū)間隔著兩個(gè)背靠背的pn結(jié)，只要使p型襯底的電位比晶體管的集電區(qū)的電位低，兩個(gè)晶體管就被反向偏置的pn結(jié)的直流高阻所隔開，實(shí)現(xiàn)所謂的電學(xué)隔離的目的。
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