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NaCLO3溶液晶體生長是我國載人航天工程中的一項(xiàng)重要空間科學(xué)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目，為了
確保NaCLO3晶體生長實(shí)驗(yàn)在空間微重力環(huán)境下的成功進(jìn)行，必須進(jìn)行充分、有效的地基模擬實(shí)驗(yàn)，包括：晶體生長和溫度控制。因?yàn)榭臻g環(huán)境存在很大的不確定性，所以，溫度控制便是該實(shí)驗(yàn)?zāi)芊癯晒Φ年P(guān)鍵所在。鑒于此，首先采用系統(tǒng)建模與仿真技術(shù)，得到控制系統(tǒng)的基本參數(shù)，而后采用PD控制方法進(jìn)行NaCLO3溶液晶體生長地基控溫實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該方法是可行的，可以完全滿足性能指標(biāo)。
確保NaCLO3晶體生長實(shí)驗(yàn)在空間微重力環(huán)境下的成功進(jìn)行，必須進(jìn)行充分、有效的地基模擬實(shí)驗(yàn)，包括：晶體生長和溫度控制。因?yàn)榭臻g環(huán)境存在很大的不確定性，所以，溫度控制便是該實(shí)驗(yàn)?zāi)芊癯晒Φ年P(guān)鍵所在。鑒于此，首先采用系統(tǒng)建模與仿真技術(shù)，得到控制系統(tǒng)的基本參數(shù)，而后采用PD控制方法進(jìn)行NaCLO3溶液晶體生長地基控溫實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該方法是可行的，可以完全滿足性能指標(biāo)。
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