資料介紹
描述
警告:以下模擬僅旨在顯示如何使用柵極驅(qū)動(dòng)器模擬完整的 IGBT 橋并考慮熱效應(yīng)。因此,它僅用于教育示例,不保證實(shí)際結(jié)果。主要目標(biāo)是表明,當(dāng)適當(dāng)?shù)哪P涂捎脮r(shí),可以在短時(shí)間內(nèi)獲得相對(duì)復(fù)雜的原理圖的非常現(xiàn)實(shí)的結(jié)果。為降低溫度而公開(kāi)的策略在“紙上”有效,但尚未在實(shí)踐中進(jìn)行測(cè)試,僅旨在培養(yǎng)工程師的直覺(jué)。
使用的型號(hào)屬于其各自所有者(用于柵極驅(qū)動(dòng)器的模擬器件,對(duì)于英飛凌 IGBT,請(qǐng)參閱附錄中提供的網(wǎng)表,熱敏電阻是 Vishay 型號(hào))。
像大多數(shù)模擬一樣,結(jié)果有點(diǎn)不言自明。將50Hz 信號(hào)與 30KHz 鋸齒波信號(hào)進(jìn)行比較后產(chǎn)生的信號(hào)對(duì)門進(jìn)行脈沖處理。該 PWM 在較低頻率下更容易看到,如以下屏幕所示 (3 KHz)。
在 30 Khz 時(shí),調(diào)制足夠高,可以在負(fù)載中產(chǎn)生接近 50 Hz 的正弦電流。
IGBT 模型已被熱模型取代,其中顯示了一個(gè)輔助引腳,這是器件產(chǎn)生的純熱量源。IGBT 的熱引腳都連接到散熱器和電壓源,即環(huán)境溫度。
在高溫下,占空比減少:IGBT 開(kāi)關(guān)降額,從而減少進(jìn)入散熱器的熱量并且溫度穩(wěn)定。
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