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總體概述總體概述DS1685/87 和 DS17x85/87 包括一個額外的擴(kuò)展用戶 RAM 塊。每個設(shè)備的內(nèi)存容量變化如下;DS1685/87 提供 1,024 位,組織為 128 x 8 塊,DS17x85/87 提供 16,384、32,768 或 65,536 位,分別組織為 2kbits x 8、4kbits x 8 或 8kbits x 8 塊。DS1685/87 和 DS17x85/87 包括一個額外的擴(kuò)展用戶 RAM 塊。每個設(shè)備的內(nèi)存容量變化如下;DS1685/87 提供 1,024 位,組織為 128 x 8 塊,DS17x85/87 提供 16,384、32,768 或 65,536 位,分別組織為 2kbits x 8、4kbits x 8 或 8kbits x 8 塊。寄存器分區(qū)寄存器分區(qū)圖 1圖 1說明了如何將寄存器塊劃分為兩個獨(dú)立的組,即組 0 和組 1。組選擇位 DV0 位于控制寄存器 0Ah(位 4)中,用于選擇要訪問的寄存器組。當(dāng) DV0 被寫入邏輯 0 時,bank 0 被選中并且可以訪問額外的 64 字節(jié)用戶 RAM。然而,當(dāng) DV0 被寫入邏輯 1 時,存儲區(qū) 1 被選中,并且可以訪問其他功能,包括擴(kuò)展用戶 RAM。實(shí)時時鐘 (RTC)、控制寄存器和 50 字節(jié)的用戶 RAM 可從任一組訪問,與 DV0 位無關(guān)。說明了如何將寄存器塊劃分為兩個獨(dú)立的組,即組 0 和組 1。組選擇位 DV0 位于控制寄存器 0Ah(位 4)中,用于選擇要訪問的寄存器組。當(dāng) DV0 被寫入邏輯 0 時,bank 0 被選中并且可以訪問額外的 64 字節(jié)用戶 RAM。然而,當(dāng) DV0 被寫入邏輯 1 時,存儲區(qū) 1 被選中,并且可以訪問其他功能,包括擴(kuò)展用戶 RAM。實(shí)時時鐘 (RTC)、控制寄存器和 50 字節(jié)的用戶 RAM 可從任一組訪問,與 DV0 位無關(guān)。圖 1. 寄存器塊分區(qū)。圖 1. 寄存器塊分區(qū)。軟件通信端口軟件通信端口擴(kuò)展用戶 RAM 通信端口位于 bank 1 寄存器塊中。擴(kuò)展用戶 RAM 地址端口位于寄存器 50h 和 51h,而擴(kuò)展用戶 RAM 數(shù)據(jù)端口位于寄存器 53h。寄存器 50h 包含 LSB 地址,寄存器 51h 包含 MSB 地址。DS1685/87 只需要 7 位來尋址擴(kuò)展 RAM,因此不需要 MSB 地址寄存器 51h。這三個存儲區(qū) 1 寄存器提供訪問擴(kuò)展用戶 RAM 所需的軟件接口。下面列出了讀取和寫入擴(kuò)展 RAM 所涉及的步驟:擴(kuò)展用戶 RAM 通信端口位于 bank 1 寄存器塊中。擴(kuò)展用戶 RAM 地址端口位于寄存器 50h 和 51h,而擴(kuò)展用戶 RAM 數(shù)據(jù)端口位于寄存器 53h。寄存器 50h 包含 LSB 地址,寄存器 51h 包含 MSB 地址。DS1685/87 只需要 7 位來尋址擴(kuò)展 RAM,因此不需要 MSB 地址寄存器 51h。這三個存儲區(qū) 1 寄存器提供訪問擴(kuò)展用戶 RAM 所需的軟件接口。下面列出了讀取和寫入擴(kuò)展 RAM 所涉及的步驟:將 DV0 位寫入邏輯 1將 DV0 位寫入邏輯 1將 LSB 地址寫入寄存器 50h將 LSB 地址寫入寄存器 50h
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