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N32G43X/N32L40X/ N32L43X 系列芯片工作電壓（VDD）為 1.8V~3.6V。主要有：VDD、VDDA 引
腳。具體請(qǐng)參考相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)。
1.2 供電方案
VDD 為 MCU 主電源，必須由穩(wěn)定的外部電源供電。電壓范圍 1.8V~3.6V，所有 VDD 引腳都需就近放
置一顆 0.1uF 去耦電容，其中一個(gè) VDD 管腳還需增加一顆 4.7uF 去耦電容。去耦電容具體設(shè)計(jì)請(qǐng)參考
第三章節(jié)各封裝最小系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)原理圖.
和一個(gè) 1uF 的電容。
1.3 外部引腳復(fù)位電路
當(dāng)NRST引腳上出現(xiàn)低電平(外部復(fù)位) 將產(chǎn)生系統(tǒng)復(fù)位。外部NRST引腳復(fù)位參考電路如下。
外部復(fù)位電路
0.1uF
NRST
VDD
RPU
內(nèi)部復(fù)位
圖 1-1 系統(tǒng)復(fù)位圖
注：復(fù)位引腳NRST在設(shè)計(jì)時(shí)不能懸空，外掛電容0.1uF作為典型參考值給出，若需加快復(fù)位時(shí)間，NRST
1.4 外部時(shí)鐘電路
N32G43X/N32L40X/ N32L43X 系列 MCU 包含 2 個(gè)外部時(shí)鐘：外部高速時(shí)鐘 HSE（4MHz~32MHz）和
外部低速時(shí)鐘 LSE（通常使用 32.768KHz）。
HSE 和 LSE 根據(jù)晶振特性配置相應(yīng)的負(fù)載電容，詳細(xì)請(qǐng)參考相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)中外部時(shí)鐘特性描述。
在使用 LSE 時(shí)，相鄰的 IO 管腳（PC13 和 PD14）不能有 GPIO 翻轉(zhuǎn)電平信號(hào)，鄰近管腳參考圖 1-2。
翻轉(zhuǎn)的電平信號(hào)會(huì)導(dǎo)致 LSE 工作不穩(wěn)定。
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