為了使USB3.0支援5Gbps的數據率，在舊的USB2.0數據對(D+和D-)基礎上增加了兩個差分數據對(超高速Tx及Rx)。此外，配合USB 3.0的芯片組以低至22nm的半導體工藝為基礎。USB 3.0相對于 USB 2.0傳輸的頻率升高，催生了在超高速線路上布設外部ESD保護元件時必須符合的嚴格阻抗匹配窗口。信號線路上增添任何少量的電容，都會改變阻抗，且因此降低數據傳輸的總體信號完整性。圖1顯示了無損耗傳輸線路的電路表征，其中額定阻抗表征為Z0。Z0 = (L / C)1/2= 線路阻抗圖1 無損耗傳輸線路等效電路圖此傳輸線路模型能應用于幾乎任何當今高速串聯接口中存在的數據線路。此模型可以用于評估將ESD保護元件置于一條或多條數據線路上的效應。在最基本的形式下，可以看到用以保護的數據線路的齊納二極管形式的ESD保護元件。此二極管有相應的結電容，以及源自封裝內部接合線(bond wire)的少量串聯電感，而此串聯電感會變成數據線路的寄生元件，如圖2所示。由于ESD保護元件中典型接合線的感抗通常不高于1nH，而且ESD保護元件的電容必須不高于1pF，對于2.5GHz USB 3.0信號而言，圖2中電感的阻抗將低于電容的阻抗，在討論中可以忽略此感抗。圖2 ESD保護元件寄生元件模型隨著數據線路上電壓的變化，需要少量的電流來給寄生電容充電。在高頻時，信號線路的電壓迅速變化，此額外充電電流可能相當可觀，因而降低了數據線路中流動的電流。此電流的降低導致數據線路阻抗輕微變化，影響它傳輸的功率總額。如果功率傳輸損耗過高，數據線路信號完整性就會出現下降。USB 3.0規格允許最大寄生電容為1.1pF(此值包含系統中在USB控制器外部的任何電容)。ESD保護元件的電容僅占系統外部電容中的一小部份。因此，當選擇此類元件時，工程師應當始終謹記，保護元件的較低電容不僅維持數據線路的的信號完整性，還使下行系統中能夠有更大的電容預算。(mbbeetchina)