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The HIP2060 is a dual MOSFET array topology in a half-bridge
configuration which represents a new innovation of power semiconductor
devices that integrates two matched power transistors
in a chip. The HIP2060 power MOSFET array is an
attractive solution in minimizing the cost, weight, and size of
high-volume electronic systems. This application note discusses
the design constraints of device construction, package
implementation, thermal consideration, and device specification
of power MOS topologies. The advantages, classical issues,
and circuit application considerations of a power MOS transistor
array are also presented.
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